[发明专利]一种磁性存储轨道的制备方法、设备和磁性存储轨道

权利要求书

1.一种磁性存储轨道的制备方法，其特征在于，包括：

通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间，所述硅体为由二氧化硅Si02构成的硅体，所述H为大于1的整数；

在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料，并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料，以构造硅与磁性材料的组合体；

将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H个U形磁性存储轨道，其中，所述第一面为所述组合体包括的所述第一凹形空间的开口所在的面。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料，并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料，以构造硅与磁性材料的组合体之后，在所述将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H个U形磁性存储轨道之前，所述方法还包括：

通过刻蚀工艺在所述组合体上刻蚀出N个第二凹形空间，所述第二凹形空间与所述第一凹形空间正交，所述N为大于1的整数；

所述将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H个U形磁性存储轨道，包括：

将包括所述H个第一凹形空间和N个第二凹形空间的组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H×N个U形磁性存储轨道。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料，并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料，以构造硅与磁性材料的组合体之后，在所述通过刻蚀工艺在所述组合体上刻蚀出N个第二凹形空间之前，所述方法还包括：

在所述组合体上涂一层光刻胶，并通过光刻工艺在所述光刻胶上刻出N个第三凹形空间；

所述通过刻蚀工艺在所述组合体上刻蚀出N个第二凹形空间，包括：

沿着所述光刻胶的N个第三凹形空间对所述组合体进行向下的刻蚀，刻蚀出N个第二凹形空间，所述第二凹形空间与所述第三凹形空间的方向和宽度相同。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过光刻工艺在所述光刻胶上刻出N个第三凹形空间，包括：

使用第一掩膜版对所述光刻胶进行光刻，以在所述光刻胶上刻出N个第三凹形空间。

5.如权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间之前，所述方法还包括：

在所述硅体上涂一层光刻胶，并通过光刻工艺在所述光刻胶上刻出H个第四凹形空间；

所述通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间，包括：

沿着所述光刻胶的H个第四凹形空间对所述硅体进行向下的刻蚀，刻蚀出H个第一凹形空间，所述第一凹形空间与所述第四凹形空间的方向和宽度相同。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过光刻工艺在所述光刻胶上刻出H个第四凹形空间，包括：

使用第二掩膜版对所述光刻胶进行光刻，以在所述光刻胶上刻出H个第四凹形空间。

7.一种磁性存储轨道的制备设备，其特征在于，包括：第一刻蚀单元、沉积单元和去除单元，其中：

所述第一刻蚀单元，用于通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间，所述H为大于1的整数，所述硅体为由二氧化硅Si02构成的硅体；

所述沉积单元，用于在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料，并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料，以构造硅与磁性材料的组合体；

所述去除单元，用于将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H个U形磁性存储轨道，其中，所述第一面为所述组合体包括的所述第一凹形空间的开口所在的面。

8.如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：

第二刻蚀单元，用于通过刻蚀工艺在所述组合体上刻蚀出N个第二凹形空间，所述第二凹形空间与所述第一凹形空间正交，所述N为大于1的整数；

所述去除单元还用于将包括所述H个第一凹形空间和N个第二凹形空间的组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H×N个U形磁性存储轨道。