[发明专利]一种磁性存储轨道的制备方法、设备和磁性存储轨道

说明书

技术领域

本发明涉及制造领域，尤其涉及一种磁性存储轨道的制备方法、设备和磁性存储轨道。

背景技术

目前磁性存储轨道在电子元件器中应用十分广泛，例如，在半导体器件中集成纳米线磁性存储轨道。目前制造磁性存储轨道主要通过反应离子刻蚀技术制造磁性存储轨道,但该技术每次只能制造一个磁性存储轨道,从而制造磁性存储轨道的效率很低。

发明内容

本发明实施例提供了一种磁性存储轨道的制备方法、设备和磁性存储轨道，可以提高制造磁性存储轨道的效率。

第一方面，本发明实施例提供的一种磁性存储轨道的制备方法，包括：

通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间，所述H为大于1的整数；

在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料，并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料，以构造硅与磁性材料的组合体；

将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H个U形磁性存储轨道，其中，所述第一面为所述组合体包括的所述第一凹形空间的开口所在的面。

在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料，并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料，以构造硅与磁性材料的组合体之后，在所述将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H个U形磁性存储轨道之前，所述方法还包括：

通过刻蚀工艺在所述组合体上刻蚀出N个第二凹形空间，所述第二凹形空间与所述第一凹形空间正交，所述N为大于1的整数；

所述将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H个U形磁性存储轨道，包括：

将包括所述H个第一凹形空间和N个第二凹形空间的组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H×N个U形磁性存储轨道。

结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料，并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料，以构造硅与磁性材料的组合体之后，在所述通过刻蚀工艺在所述组合体上刻蚀出N个第二凹形空间之前，所述方法还包括：

在所述组合体上涂一层光刻胶，并通过光刻工艺在所述光刻胶上刻出N个第三凹形空间；

所述通过刻蚀工艺在所述组合体上刻蚀出N个第二凹形空间，包括：

沿着所述光刻胶的N个第三凹形空间对所述组合体进行向下的刻蚀，刻蚀出N个第二凹形空间，所述第二凹形空间与所述第三凹形空间的方向和宽度相同。

结合第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述通过光刻工艺在所述光刻胶上刻出N个第三凹形空间，包括：

使用第一掩膜版对所述光刻胶进行光刻，以在所述光刻胶上刻出N个第三凹形空间。

结合第一方面的上述任一实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，所述通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间之前，所述方法还包括：

在所述硅体上涂一层光刻胶，并通过光刻工艺在所述光刻胶上刻出H个第四凹形空间；

所述通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间，包括：

沿着所述光刻胶的H个第四凹形空间对所述硅体进行向下的刻蚀，刻蚀出H个第一凹形空间，所述第一凹形空间与所述第四凹形空间的方向和宽度相同。

结合第一方面的第四种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，所述通过光刻工艺在所述光刻胶上刻出H个第四凹形空间，包括：

使用第二掩膜版对所述光刻胶进行光刻，以在所述光刻胶上刻出H个第四凹形空间。

第二方面，本发明实施例提供一种磁性存储轨道的制备设备，包括：第一刻蚀单元、沉积单元和去除单元，其中：

所述第一刻蚀单元，用于通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间，所述H为大于1的整数；

所述沉积单元，用于在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料，并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料，以构造硅与磁性材料的组合体；

所述去除单元，用于将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H个U形磁性存储轨道，其中，所述第一面为所述组合体包括的所述第一凹形空间的开口所在的面。

在第二方面的第一种可能的实现方式中，所述设备还包括：