[发明专利]一种集成电路寄生参数的粗糙边界面电荷密度提取方法在审

专利信息
申请号: 201310383414.2 申请日: 2013-08-28
公开(公告)号: CN104424370A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 严昌浩;曾璇;蔡伟 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 代理人: 吴桂琴
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 集成电路 寄生 参数 粗糙 边界 电荷 密度 提取 方法
【权利要求书】:

1.一种集成电路寄生参数的粗糙边界面电荷密度提取方法,其特征是,结合边界积分方程方法和随机法,包括构造一个或多个球体包含全部待求边界,每个球体与区域边界相交为一个粗糙patch曲面;在区域外的半球面Γ和粗糙patch曲面构成的封闭曲面上应用特殊Green函数的边界元法进行求解;

输入参数:区域边界的几何信息,区域边界上的电位分布函数u0(x),待求的边界S',球体的个数n(n≥1),球体的半径ai(i=1..n),每个半球面Γ上高斯积分点数Ng1,面元上高斯积分点数Ng2,采样路径数Nmax,吸收边界厚度ε,最大球半径Rmax

输出结果:待求边界S'上的面电荷密度;

包括步骤:

步骤1:构造n个半径分别为ai的球体,每一个球体与边界相交为粗糙patch曲面S,patch曲面S的并集覆盖所有待求边界S';

步骤2:针对每一个半球面Γ和粗糙patch面S构成的封闭曲面,利用边界元法进行求解,得到patch面S上的面电荷密度;

步骤3:逐一取出每个patch面S上属于待求边界S'的面电荷密度,即为最终待求边界S'上的面电荷密度。

2.按权利要求1所述的方法,其特征是,所述的步骤1中,在每个半径为ai的球体上,球体与区域边界相交为一个粗糙patch曲面S,其中,S曲面包含部分待求面电荷密度的边界。在区域内部的(近似)上半球面为Γ,patch面S和上半球面Γ围成封闭区域ΩS;每个球体的半径ai应满足:

(1)使得每个球体除包含patch面外,不包含其它区域边界;

(2)不同球体的半径ai不同,不同球体与边界相交得到的粗糙patch面之间可以相互重叠;

(3)半径ai过小影响最终结果的精度。

3.按权利要求1所述的方法,其特征是,所述的步骤2中,针对每一个半球面Γ和patch面S构成的封闭区域边界,利用边界元法进行求解,得到patch面S上的面电荷密度;通过下述子步骤得到patch面S上的面电荷密度:

输入参数:区域边界的几何信息,区域边界上的电位分布,球体Sa的半径为a,球心坐标o,半球面Γ,粗糙patch面S,总路径数Nmax,吸收边界厚度ε,最大球半径Rmax

输出结果:粗糙patch面S上的面电荷密度;

步骤2.1:将粗糙patch曲面S离散为三角面元(panel);

粗糙patch面为三维曲面,采用三维曲面离散工具,如distmesh软件工具进行离散,离散为三角面元;

步骤2.2:利用镜像格林函数化简半球面Γ和patch面S构成的封闭区域边界上的边界积分方程;

由区域ΩS边界上的边界积分方程得到:

u(x)=-ΓG(x,y)nyu(y)dsy]]>

                                           (1)

+S[-G(x,y)nyu(y)+G(x,y)u(y)ny]dsy,xΩS]]>

其中,u(x)和u(y)分别为x点和y点的电位,ny为y点的单位外法向量,G(x,y)为格林函数(Green's function);

若选择格林函数G(x,y)为半径为a的球体区域Sa在齐次边界下的格林函数,即:

-ΔG(x,y)=δ(x-y),x,ySaG(x,y)|xSa=0---(2)]]>

则式错误!未找到引用源。可变为:

u(x)=-ΓG(x,y)nyu(y)dsy]]>

                                     (3)

+S[-G(x,y)nyu(y)+G(x,y)u(y)ny]dsy,xΩS]]>

式(3)中,上半球面Γ的积分中仅包含电位u(y),而不含电位的法向导数其中电位u(y)通过WOS(Walk On Spheres)随机法计算得到;

步骤2.3:用随机法得到上半球面Γ上积分点的电位

在区域内满足Laplace方程,边界满足第一类边界条件的情况下,用WOS随机法得到区域内一点的电位,也即半球面Γ上积分点的电位;其中WOS随机法利用总路径数Nmax,吸收边界厚度ε,最大球半径Rmax等参数;

步骤2.4:用边界元法离散边界积分方程,建立线性方程组

在patch面S和上半球面Γ围成的封闭区域边界上,利用点配置边界元法(collocation BEM)离散边界积分方程错误!未找到引用源。为转化为如下线性方程组:

K[un](x)=b(x),xS,---(4)]]>

其中:

K[un]SG(x,y)u(y)nydsy,---(5)]]>

b(x)[u(x)2+p.v.SG(x,y)nyu(y)dsy]+ΓG(x,y)nyu(y)dsy---(6)]]>

p.v.代表双层位势(double layer potential)的柯西主值积分(Cauchy principal value);其中,面元内的普通积分采用高斯积分,对于弱奇异(weak singularities)和强奇异(strong singularities)积分,采用极坐标转换等数值技术转化为普通积分;

步骤2.5:求解该线性方程组得到该球体包含的粗糙patch面上的面电荷密度。

4.按权利要求1所述的方法,其特征是,所述的步骤3中,逐一取出每个patch面上属于待求边界的面电荷密度,即为最终待求边界上的面电荷密度;若待求边界上某点属于多个patch面,则点的面电荷密度取距离球心的归一化距离最小的patch面上的结果;球内坐标为p的点距离球心的归一化距离为:

Rp=p-oa---(7)]]>

其中,o球心坐标,a为球的半径。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学,未经复旦大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310383414.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top