[发明专利]分栅电阻器结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201310385745.X | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103426727A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 高超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻器 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种分栅电阻器的制作方法，包括步骤：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成分栅电阻层以及硬掩模层；
刻蚀所述硬掩模层，形成沟槽，所述沟槽暴露出所述分栅电阻层；
在所述沟槽中形成侧墙；
在所述侧墙中形成虚拟栅极，所述侧墙隔离所述分栅电阻层与虚拟栅极；
刻蚀去除所述硬掩模层，暴露出一部分所述分栅电阻层；
刻蚀去除暴露的分栅电阻层，剩余的分栅电阻层位于所述侧墙与所述半导体衬底之间。
2.如权利要求1所述的分栅电阻器的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底设有浅沟道隔离层，所述分栅电阻层以及硬掩模层均形成在所述浅沟道隔离层表面。
3.如权利要求1所述的分栅电阻器的制作方法，其特征在于，所述分栅电阻层的材质为多晶硅。
4.如权利要求3所述的分栅电阻器的制作方法，其特征在于，所述分栅电阻层的厚度范围是300埃～800埃。
5.如权利要求1所述的分栅电阻器的制作方法，其特征在于，所述硬掩模层的材质为氮化硅。
6.如权利要求5所述的分栅电阻器的制作方法，其特征在于，所述硬掩模层的厚度范围是2500埃～3500埃。
7.如权利要求1所述的分栅电阻器的制作方法，其特征在于，所述沟槽的宽度范围小于0.3μm。
8.如权利要求1所述的分栅电阻器的制作方法，其特征在于，所述侧墙为单层侧墙或者多层侧墙。
9.如权利要求8所述的分栅电阻器的制作方法，其特征在于，所述侧墙为单层侧墙，所述侧墙的材质为氧化硅或氮化硅。
10.如权利要求8所述的分栅电阻器的制作方法，其特征在于，所述侧墙为多层侧墙，所述侧墙包括第一侧墙以及第二侧墙，所述第一侧墙以及所述第二侧墙的材质为氧化硅或氮化硅。
11.如权利要求1所述的分栅电阻器的制作方法，其特征在于，在刻蚀去除所述暴露的分栅电阻层之后，在所述侧墙以及剩余的分栅电阻层的两侧形成栅极侧墙。
12.一种分栅电阻器的结构，采用如权利要求1～11中任一项所述的方法形成，包括：
形成于半导体衬底上的分栅电阻层；
形成于所述分栅电阻层上的侧墙；
形成于所述侧墙上的虚拟栅极。
13.如权利要求12所述的分栅电阻器的结构，其特征在于，还包括形成于所述侧墙以及分栅电阻层两侧的栅极侧墙。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
