[发明专利]部分耗尽绝缘体上硅器件结构

权利要求书

1.一种部分耗尽绝缘体上硅器件结构，包括：

半导体衬底，包括依次自下至上依次层叠的底层衬底、绝缘区埋层以及上层衬底；

器件有源区，位于所述上层衬底中，所述器件有源区具有体区、源区和漏区；

栅极，横跨所述器件有源区上，所述体区位于所述栅极下方，所述源区和漏区分别位于所述栅极的两侧；

体接触有源区，位于所述器件有源区的宽度方向一侧的所述上层衬底中，所述体接触有源区与所述漏区或所述源区通过一浅隔离区相隔绝，所述浅隔离区不与所述绝缘埋层相接触；

其中，所述栅极与所述体接触有源区电气连接。

2.如权利要求1所述的部分耗尽绝缘体上硅器件结构，其特征在于，所述栅极中具有第一通孔接触，所述体接触有源区上具有至少一第二通孔接触，所述第一通孔接触与所述第二通孔接触通过互连层连接。

3.如权利要求2所述的部分耗尽绝缘体上硅器件结构，其特征在于，所述栅极的长度大于所述器件有源区的长度，所述第一通孔接触位于所述器件有源区以外的所述栅极中。

4.如权利要求2所述的部分耗尽绝缘体上硅器件结构，其特征在于，所述互连层为第一金属互连层。

5.如权利要求1所述的部分耗尽绝缘体上硅器件结构，其特征在于，所述浅隔离区为浅槽隔离。

6.如权利要求5所述的部分耗尽绝缘体上硅器件结构，其特征在于，所述浅隔离区的材料为氧化硅。

7.如权利要求1所述的部分耗尽绝缘体上硅器件结构，其特征在于，所述体区和体接触有源区为P型掺杂，所述源区和漏区为N型掺杂，所述体区的掺杂浓度低于所述体接触有源区的掺杂浓度；或所述体区和体接触有源区为N型掺杂，所述源区和漏区为P型掺杂，所述体区的掺杂浓度低于所述体接触有源区的掺杂浓度。

8.如权利要求7所述的部分耗尽绝缘体上硅器件结构，其特征在于，所述体区的掺杂剂量为1E14cm^-2～1E16cm^-2，所述体接触有源区的掺杂剂量为1E18cm^-2～1E20cm^-2。