[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层及阴极，其特征在于：所述有机电致发光器件还包括封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括碳氮化硅层及形成于所述碳氮化硅层表面的阻挡层；所述阻挡层的材料包括硅化物及金属氧化物，所述硅化物选自硅化铬、二硅化钽、硅化铪、二硅化钛、二硅化钼及二硅化钨中的至少一种，所述金属氧化物选自氧化镁，三氧化二铝、二氧化钛、氧化锆、二氧化铪及五氧化二钽中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述碳氮化硅层的厚度为100nm～150nm；所述阻挡层的厚度为100nm～150nm。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阻挡层中所述硅化物的质量百分含量为10%～30%，其余为所述金属氧化物。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装盖的数量为3～5，3～5个所述封装盖依次层叠。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装盖与所述阳极配合形成有收容腔，所述发光层及阴极均收容于所述收容腔。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在阳极表面制备发光层；

在所述发光层表面制备阴极；及

在所述阴极表面制备封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括碳氮化硅层及形成于所述碳氮化硅层表面的阻挡层，所述阻挡层的材料包括硅化物及金属氧化物，所述硅化物选自硅化铬、二硅化钽、硅化铪、二硅化钛、二硅化钼及二硅化钨中的至少一种，所述金属氧化物选自氧化镁，三氧化二铝、二氧化钛、氧化锆、二氧化铪及五氧化二钽中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述碳氮化硅层的厚度为100nm～150nm；所述阻挡层的厚度为100nm～150nm。

8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阻挡层中所述硅化物的质量百分含量为10%～30%，其余为所述金属氧化物。

9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述封装盖的数量为3～5，3～5个所述封装盖依次层叠。

10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述碳氮化硅层采用等离子体增强化学气相沉积法制备，原料气体为甲基硅烷、氨气及氢气，其中所述甲基硅烷与所述氢气的流量比为（4～10）：（190～210），所述氨气与所述甲基硅烷的流量比为20:1～30:1，温度为40～60℃，气压为30～60Pa，功率为0.1～0.5W/cm²。