[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制备一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。

有机电致发光器件受到湿气和潮气侵蚀后，会引起有机电致发光器件内部元件的材料发生老化进而失效，从而所述有机电致发光器件的寿命较短。

发明内容

基于此，有必要提供一种寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层及阴极，其特征在于：所述有机电致发光器件还包括封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括碳氮化硅层及形成于所述碳氮化硅层表面的阻挡层；所述阻挡层的材料包括硅化物及金属氧化物，所述硅化物选自硅化铬、二硅化钽、硅化铪、二硅化钛、二硅化钼及二硅化钨中的至少一种，所述金属氧化物选自氧化镁，三氧化二铝、二氧化钛、氧化锆、二氧化铪及五氧化二钽中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述碳氮化硅层的厚度为100nm～150nm；所述阻挡层的厚度为100nm～150nm。

在其中一个实施例中，所述阻挡层中所述硅化物的质量百分含量为10%～30%，其余为所述金属氧化物。

在其中一个实施例中，所述封装盖的数量为3～5，3～5个所述封装盖依次层叠。

在其中一个实施例中，所述封装盖与所述阳极配合形成有收容腔，所述发光层及阴极均收容于所述收容腔。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

在阳极表面制备发光层；

在所述发光层表面制备阴极；及

在所述阴极表面制备封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括碳氮化硅层及形成于所述碳氮化硅层表面的阻挡层，所述阻挡层的材料包括硅化物及金属氧化物，所述硅化物选自硅化铬、二硅化钽、硅化铪、二硅化钛、二硅化钼及二硅化钨中的至少一种，所述金属氧化物选自氧化镁，三氧化二铝、二氧化钛、氧化锆、二氧化铪及五氧化二钽中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述碳氮化硅层的厚度为100nm～150nm；所述阻挡层的厚度为100nm～150nm。

在其中一个实施例中，所述阻挡层中所述硅化物的质量百分含量为10%～30%，其余为所述金属氧化物。

在其中一个实施例中，所述封装盖的数量为3～5，3～5个所述封装盖依次层叠。

在其中一个实施例中，所述碳氮化硅层采用等离子体增强化学气相沉积法制备，原料气体为甲基硅烷、氨气及氢气，其中所述甲基硅烷与所述氢气的流量比为（4～10）：（190～210），所述氨气与所述甲基硅烷的流量比为20:1～30:1，温度为40～60℃，气压为30～60Pa，功率为0.1～0.5W/cm²。

上述有机电致发光器件及其制备方法，封装盖包括碳氮化硅层及形成于碳氮化硅层表面的阻挡层，两层配合致密性高，可以有效的阻挡水氧等物质对有机电致发光器件的发光层及阴极的腐蚀，提高防水氧能力，从而有机电致发光器件的寿命较长。

附图说明

图1为一实施例的有机电致发光器件的结构示意图；

图2为一实施例的有机电致发光的制备方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。

请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的具有阳极图案的阳极10、功能层20、阴极30及封装盖40。

阳极10为导电玻璃或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）薄膜基板。阳极10上具有制备有阳极图形的ITO层。本实施方式中，ITO层的厚度为100nm。当然ITO层的厚度不限于为100nm，也可根据需要选择其他厚度。

功能层20形成于阳极10表面。功能层20包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。可以理解，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层可以省略，此时功能层20仅包括发光层。

本实施方式中，空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO₃）。MoO₃的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。