[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310386334.2 申请日: 2013-08-29
公开(公告)号: CN104425756A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 周明杰;钟铁涛;王平;陈吉星 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 生启;何平
地址: 518100 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极、发光层及阴极,其特征在于:所述有机电致发光器件还包括封装盖,所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上,所述封装盖包括形成于所述阴极表面的第一氮氧化硅层、形成于所述第一氮氧化硅层表面的第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第二氮氧化硅层及形成于所述第二氮氧化硅层表面的第二无机阻挡层;所述第一无机阻挡层的材料的包括碲化物及金属,所述第二无机层的材料包括硒化物及金属;所述碲化物选自三碲化锑、碲化铋、碲化镉、三碲化二铟、碲化锡及碲化铅中的至少一种,所述金属选自银、铝、镍、金、铜及铂中的至少一种,所述硒化物选自硒化锑、硒化钼、硒化铋、二硒化铌、二硒化钽及硒化亚铜中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一氮氧化硅层的厚度为150nm~200nm;所述第一无机阻挡层的厚度为100nm~200nm;所述第二氮氧化硅层的厚度为150nm~200nm;所述第二无机阻挡层的厚度为100nm~200nm。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一无机阻挡层中所述碲化物的质量百分含量为10%~30%,其余为所述金属。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第二无机阻挡层中所述硒化物的质量百分含量为10%~30%,其余为所述金属。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述封装盖与所述阳极配合形成有收容腔,所述发光层及阴极均收容于所述收容腔。

6.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

在阳极表面制备发光层;

在所述发光层表面制备阴极;及

在所述阴极表面制备封装盖,所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上,所述封装盖包括形成于所述阴极表面的第一氮氧化硅层、形成于所述第一氮氧化硅层表面的第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第二氮氧化硅层及形成于所述第二氮氧化硅层表面的第二无机阻挡层,所述第一无机阻挡层的材料的包括碲化物及金属,所述第二无机层的材料包括硒化物及金属,所述碲化物选自三碲化锑、碲化铋、碲化镉、三碲化二铟、碲化锡及碲化铅中的至少一种,所述金属选自银、铝、镍、金、铜及铂中的至少一种,所述硒化物选自硒化锑、硒化钼、硒化铋、二硒化铌、二硒化钽及硒化亚铜中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述第一氮氧化硅层的厚度为150nm~200nm;所述第一无机阻挡层的厚度为100nm~200nm;所述第二氮氧化硅层的厚度为150nm~200nm;所述第二无机阻挡层的厚度为100nm~200nm。

8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述第一无机阻挡层中所述碲化物的质量百分含量为10%~30%,其余为所述金属。

9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述第二无机阻挡层中所述硒化物的质量百分含量为10%~30%,其余为所述金属。

10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述第一氮氧化硅层及所述第二氮氧化硅层均采用等离子体增强化学气相沉积法制备,原料气体为六甲基二硅胺、氨气及氧气,载气为氩气,其中所述六甲基二硅胺、氨气及氧气的流量比为(6~14):(2~18):(2~18),温度为40~60℃,气压为30~60Pa,功率为0.1~0.5W/cm2

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