[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制备一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。

有机电致发光器件受到湿气和潮气侵蚀后，会引起有机电致发光器件内部元件的材料发生老化进而失效，从而所述有机电致发光器件的寿命较短。

发明内容

基于此，有必要提供一种寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层及阴极，其特征在于：所述有机电致发光器件还包括封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括形成于所述阴极表面的第一氮氧化硅层、形成于所述第一氮氧化硅层表面的第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第二氮氧化硅层及形成于所述第二氮氧化硅层表面的第二无机阻挡层；所述第一无机阻挡层的材料的包括碲化物及金属，所述第二无机层的材料包括硒化物及金属；所述碲化物选自三碲化锑、碲化铋、碲化镉、三碲化二铟、碲化锡及碲化铅中的至少一种，所述金属选自银、铝、镍、金、铜及铂中的至少一种，所述硒化物选自硒化锑、硒化钼、硒化铋、二硒化铌、二硒化钽及硒化亚铜中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述第一氮氧化硅层的厚度为150nm～200nm；所述第一无机阻挡层的厚度为100nm～200nm；所述第二氮氧化硅层的厚度为150nm～200nm；所述第二无机阻挡层的厚度为100nm～200nm。

在其中一个实施例中，所述第一无机阻挡层中所述碲化物的质量百分含量为10%～30%，其余为所述金属。

在其中一个实施例中，所述第二无机阻挡层中所述硒化物的质量百分含量为10%～30%，其余为所述金属。

在其中一个实施例中，所述封装盖与所述阳极配合形成有收容腔，所述发光层及阴极均收容于所述收容腔。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

在阳极表面制备发光层；

在所述发光层表面制备阴极；及

在所述阴极表面制备封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括形成于所述阴极表面的第一氮氧化硅层、形成于所述第一氮氧化硅层表面的第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第二氮氧化硅层及形成于所述第二氮氧化硅层表面的第二无机阻挡层，所述第一无机阻挡层的材料的包括碲化物及金属，所述第二无机层的材料包括硒化物及金属，所述碲化物选自三碲化锑、碲化铋、碲化镉、三碲化二铟、碲化锡及碲化铅中的至少一种，所述金属选自银、铝、镍、金、铜及铂中的至少一种，所述硒化物选自硒化锑、硒化钼、硒化铋、二硒化铌、二硒化钽及硒化亚铜中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述第一氮氧化硅层的厚度为150nm～200nm；所述第一无机阻挡层的厚度为100nm～200nm；所述第二氮氧化硅层的厚度为150nm～200nm；所述第二无机阻挡层的厚度为100nm～200nm。

在其中一个实施例中，所述第一无机阻挡层中所述碲化物的质量百分含量为10%～30%，其余为所述金属。

在其中一个实施例中，所述第二无机阻挡层中所述硒化物的质量百分含量为10%～30%，其余为所述金属。

在其中一个实施例中，所述第一氮氧化硅层及所述第二氮氧化硅层均采用等离子体增强化学气相沉积法制备，原料气体为六甲基二硅胺、氨气及氧气，载气为氩气，其中所述六甲基二硅胺、氨气及氧气的流量比为（6～14）：（2～18）：（2～18），温度为40～60℃，气压为30～60Pa，功率为0.1～0.5W/cm²。

上述有机电致发光器件及其制备方法，封装盖包括依次层叠的第一氮氧化硅层、第一无机阻挡层、第二氮氧化硅层、第二无机阻挡层，四层配合可以有效的阻挡水氧等物质对有机电致发光器件的发光层及阴极的腐蚀，提高防水氧能力，从而有机电致发光器件的寿命较长。

附图说明

图1为一实施例的有机电致发光器件的结构示意图；

图2为一实施例的有机电致发光的制备方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。

请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的具有阳极图案的阳极10、功能层20、阴极30及封装盖40。