[发明专利]高产量半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底；

第一裸芯堆叠，粘附到所述衬底；

第一组引线接合件，将所述第一裸芯堆叠引线接合到所述衬底；

第一模塑复合物，至少包封所述第一组引线接合件；

第二裸芯堆叠，安装在所述第一裸芯堆叠上方；

第二组引线接合件，将所述第二裸芯堆叠引线接合到所述衬底；

第二模塑复合物，至少包封所述第二组裸芯堆叠、所述第二组引线接合件和所述第一模塑复合物。

2.根据权利要求1的半导体装置，其中，所述第一裸芯堆叠在第一方向上成阶梯状，而所述第二裸芯堆叠在相反的第二方向上成阶梯状。

3.根据权利要求2的半导体装置，其中，所述第二裸芯堆叠的最底部的裸芯比第二裸芯堆叠中的其他裸芯更厚。

4.根据权利要求1的半导体装置，其中，所述第一裸芯堆叠在第一方向上成阶梯状，且所述第二裸芯堆叠在相同的方向上成阶梯状。

5.根据权利要求4的半导体装置，还包括在所述第一裸芯堆叠和所述第二裸芯堆叠之间的电介质间隔体层。

6.根据权利要求1的半导体装置，其中，所述第一模塑复合物未完全包封整个所述第一裸芯堆叠。

7.根据权利要求1的半导体装置，其中，所述第一模塑复合物包封整个所述第一裸芯堆叠。

8.根据权利要求1的半导体装置，其中，所述第一裸芯堆叠和所述第二裸芯堆叠的每个包括八个存储器裸芯。

9.根据权利要求1的半导体装置，其中，所述第一裸芯堆叠和所述第二裸芯堆叠的每个包括六个存储器裸芯。

10.根据权利要求1的半导体装置，其中，所述第一裸芯堆叠和所述第二裸芯堆叠的每个包括四个存储器裸芯。

11.根据权利要求1的半导体装置，还包括控制器裸芯。

12.根据权利要求1的半导体装置，其中，所述半导体装置是栅格阵列半导体封装体。

13.根据权利要求1的半导体装置，其中，所述半导体封装体是球栅阵列半导体封装体，且还包括安装到所述衬底的表面上的接触衬垫的多个焊料球，所述接触衬垫所在表面与所述衬底的包括所述第一裸芯堆叠和所述第二裸芯堆叠的表面相反。

14.一种半导体装置，包括：

衬底；

第一裸芯堆叠，粘附到所述衬底；

第一组引线接合件，将所述第一裸芯堆叠引线接合到所述衬底；

第一模塑复合物，至少包封所述第一组引线接合件；

第二裸芯堆叠，安装在所述第一模塑复合物和第一裸芯堆叠上方；

第二组引线接合件，将所述第二裸芯堆叠引线接合到所述衬底；

第二模塑复合物，包封所述第二裸芯堆叠、所述第二组引线接合件、所述第一模塑复合物和未被所述第一模塑复合物包封的第一裸芯堆叠的任何部分。

15.根据权利要求14的半导体装置，其中，所述第一模塑复合物的表面与所述第二裸芯堆叠中的最底部的裸芯的表面共平面。

16.根据权利要求14的半导体装置，还包括在所述第一裸芯堆叠和所述第二裸芯堆叠之间的电介质间隔体层。

17.根据权利要求16的半导体装置，其中，所述第一模塑复合物的表面与所述间隔体层的表面共平面。

18.根据权利要求14的半导体装置，其中，所述第一模塑复合物未完全包封整个所述第一裸芯堆叠。

19.根据权利要求14的半导体装置，其中，所述第一模塑复合物包封整个所述第一裸芯堆叠。

20.一种形成半导体装置的方法，包括如下步骤：

(a)在衬底上安装第一裸芯堆叠；

(b)将所述第一裸芯堆叠电连接到所述衬底；

(c)包封所述第一裸芯堆叠的至少一部分；

(d)测试所述第一裸芯堆叠的功能性；

(e)如果在所述步骤（d）中所述第一裸芯堆叠在预定参数内工作，则将第二裸芯堆叠安装在所述第一裸芯堆叠上；

(f)将所述第二裸芯堆叠电连接到所述衬底；以及

(g)在第二包封步骤中包封所述第二裸芯堆叠。