[发明专利]高产量半导体装置

说明书

背景技术

便携式消费电子产品的需求的强劲增长驱动了高容量存储器件的需求。诸如闪存存储卡的非易失性半导体存储器件被广泛用以满足对数字信息存储和交换的日益增长的需求。其便携性、多用性和耐震设计以及其高可靠性和大容量已经使得这样的存储器件理想地用于各种电子设备中，包括例如数码相机、数码音乐播放器、视频游戏控制台、PDA和蜂窝电话中。

虽然已知了许多各式各样的封装构造，但是将闪存存储卡通常制造为系统级封装（SiP）或多芯片模块（MCM），其中，在小的足印（footprint）衬底上安装和互连多个裸芯（die）。该衬底通常可以包括具有在一侧或两侧上蚀刻有导电层的刚性的电介质基底。在裸芯和导电层之间形成电连接，且导电层提供电引导结构而将裸芯连接到主机装置。一旦裸芯和衬底之间形成了电连接，然后该组件典型地包封在提供保护性封装的模塑复合物（molding compound）中。

在图1和2中示出传统半导体封装体20的剖面侧视图和俯视图（图2中没有模塑复合物）。典型的封装体包括多个粘附到衬底26的半导体裸芯、诸如闪存裸芯22和控制器裸芯24。在裸芯制造工艺期间，多个裸芯接合衬垫28可形成在半导体裸芯22、24上。类似地，多个接触衬垫30可形成在衬底26上。裸芯22可以粘附到衬底26，然后可以在裸芯22上安装裸芯24。然后，通过在各个裸芯接合衬垫28和接触衬垫30对之间粘附引线接合件32，可以将所有裸芯电耦合于衬底。一旦所有电连接形成，裸芯和引线接合件可包封在模塑复合物34中，以密封该封装体和保护裸芯和引线接合件。

为了最高效地使用封装体足印，已知在彼此顶上堆叠半导体裸芯，半导体裸芯彼此完全重叠且在相邻裸芯之间具有间隔体层，或如图1和2所示具有偏移。在偏移构造中，一裸芯堆叠在另一裸芯顶上使得下面的裸芯的接合衬垫被暴露。偏移构造有利于方便地接近堆叠中的每个半导体裸芯上的接合衬垫。

随着半导体裸芯变得越来越薄，且为了增加半导体封装体中的存储器容量，半导体封装体的裸芯堆叠中的裸芯数量继续增加。这里存在的一个问题是当在裸芯堆叠的测试期间单个裸芯失效时，通常整个裸芯堆叠就被丢弃。提高产量以使大裸芯堆叠是值得的变得重要。

发明内容

在一个例子中，本技术涉及一种半导体装置，包括：衬底；粘附到衬底的第一裸芯堆叠；第一组引线接合件，将第一裸芯堆叠引线接合到衬底；第一模塑复合物，至少包封第一组引线接合件；第二裸芯堆叠，安装在第一裸芯堆叠上方；第二组引线接合件，将第二裸芯堆叠引线接合到衬底；第二模塑复合物，至少包封第二组裸芯堆叠、第二组引线接合件和第一模塑复合物。

在另一例子中，本技术涉及一种半导体装置，包括：衬底；粘附到衬底的第一裸芯堆叠；第一组引线接合件，将第一裸芯堆叠引线接合到衬底；第一模塑复合物，至少包封第一组引线接合件；第二裸芯堆叠，安装在第一模塑复合物和第一裸芯堆叠上方；第二组引线接合件，将第二裸芯堆叠引线接合到衬底；第二模塑复合物，包封第二裸芯堆叠、第二组引线接合件、第一模塑复合物和未被第一模塑复合物包封的第一裸芯堆叠的任何部分。

在另一例子中，本技术涉及一种用于形成半导体装置的方法，包括：(a)在衬底上安装第一裸芯堆叠；(b)将第一裸芯堆叠电连接到衬底；(c)包封第一裸芯堆叠的至少一部分；(d)测试第一裸芯堆叠的功能性；(e)如果在步骤（d）中第一裸芯堆叠在预定参数内工作，则将第二裸芯堆叠安装在第一裸芯堆叠上；(f)将第二裸芯堆叠电连接到衬底；以及(g)在第二包封步骤中包封第二裸芯堆叠。

附图说明

图1是传统半导体封装体的剖面侧视图。

图2是传统衬底和接合半导体裸芯的引线的俯视图。

图3是根据本发明的实施例的半导体装置的整体制造工艺的流程图。

图4是在根据本技术的实施例的制造工艺中的第一步的半导体装置的侧视图。

图5是在根据本技术的实施例的制造工艺中的第二步的半导体装置的俯视图。

图6是在根据本技术的实施例的制造工艺中的第三步的半导体装置的侧视图。

图7是在根据本技术的实施例的制造工艺中的第四步的半导体装置的侧视图。

图8是在根据本技术的实施例的制造工艺中的第五步的半导体装置的侧视图。

图9是在根据本技术的实施例的制造工艺中的第五步的半导体装置的简化透视图。

图10是在根据本技术的实施例的制造工艺中的第六步的半导体装置的侧视图。

图11是在根据本技术的实施例的制造工艺中的第七步的半导体装置的侧视图。