[发明专利]用于处理衬底或衬底对的装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种根据权利要求1所述的用于处理衬底或衬底对、尤其是作为晶片对的晶片的装置。

背景技术

半导体技术的处理设备或装置大多是模块化构造的。所述处理设备或装置通常由不同的小室组成，在这些小室中执行不同的处理步骤。因此例如为了对晶片进行预处理考虑晶片处理步骤——如湿式清洗、等离子处理、蚀刻或加热，而对于晶片的主处理则考虑接合、涂漆、打印、压印和曝光。在已知的处理设备中，晶片或晶片堆叠随着箱盒在处理设备或处理设备的模块之间被运输。

在运输期间可能导致污染、损坏、变脏或氧化，并从而可能导致对其他处理步骤的影响。

在对相继晶片的处理之间、也即在加载和卸载晶片时主处理小室的污染也是成问题的。

另外，在主处理时必须克服从大气压力直至非常低的10^-6巴或更小压力的大的压力差，这在时间方面也是关键的。

发明内容

本发明的任务因此是，衬底的处理不仅从流程上被优化，而且也尽可能地避免污染、损坏、弄脏或氧化。

该任务利用权利要求1的特征得到解决。本发明的有利的改进在从属权利要求中说明。在说明书、权利要求书和/或附图中所说明的至少两个特征的所有组合同样也落在本发明的范围中。在所说明的值范围中，位于所述界限内的值也应该作为界限值来公开，并以任意的组合来要求权利。

本发明所基于的想法是，把主处理模块与至少一个预处理模块和至少一个后处理模块如此耦合，使得至少一个预处理模块和至少一个后处理模块和/或该主处理模块分别作为真空密封的闸（Schleuse）而用于相邻的预处理、主处理或后处理模块。根据本发明，在本发明的一个实施方式中同时规定，至少一个预处理模块和/或该主处理模块和/或至少一个后处理模块可以独立地或与相邻模块无关地被施加压力、尤其是真空，和/或被加温、尤其是加热。

通过这种方式，尽管根据本发明的处理设备具有灵活的构造，在本发明的装置内也设置了对多个衬底的时间优化的、甚至并行的处理，其中由于各个处理模块的闸式耦合，通过衬底与外部影响的去耦合解决了尤其是在对各个模块进行加载和卸载时的污染、损坏、弄脏或氧化。

特别有利的是，该主处理模块仅能通过闸被加载和卸载。这根据本发明通过如下方式来解决，即不仅设置与主处理模块闸式耦合的预处理模块，而且设置与主处理模块闸式耦合的后处理模块。通过这种措施，在处理的时间点以及在对主处理模块的加载和卸载期间，衬底或晶片的大多特别关键的并通常在极端条件下进行的主处理都不与环境进行接触。该主处理模块由此完全与环境去耦合，使得实际上排除了在衬底的主处理期间的污染、损坏、弄脏或氧化。另外还存在的优点是，可以在预处理模块和后处理模块中扩展预备和巩固主处理的步骤，尤其至少部分的压力施加和/或温度施加。因此在主处理模块中仅应克服比环境/大气压力p_ATM更小的压力差和/或温度差。

根据本发明的一个有利的实施方式规定，主处理小室在对衬底加载和卸载时可以作为闸来开关。从而在对该主处理小室加载时，同时能够对之前在主处理小室中处理的衬底进行后处理。相反，在对该主处理小室卸载时，同时能够在预处理小室中对在主处理小室中要处理的下一衬底进行预处理。

在另一有利的实施方式中规定，预处理小室和/或主处理小室和/或后处理小室尤其可以单独地借助加热装置来加热。在此特别有利的是，预处理小室和/或主处理小室和/或后处理小室是完全绝热的。这样在最小可能的热损失的情况下可以进行精确的温度控制。

只要在预处理模块之前可以作为闸而连接其他的相应构造的预处理模块和/或只要在后处理模块之后可以作为闸而连接其他的相应构造的后处理模块，那么该方法流程就可以进一步被细分，使得得出对处理流程中的通过时间的优化。在此根据本发明可以考虑多个预处理模块通过闸门同时与一个预处理模块直接耦合。这样就可以把时间密集的预处理步骤并行地并相应时间偏移地在前接的预处理模块中运行。这类似地适用于相应的后处理模块。

通过把闸构造为压力和/或温度闸，根据本发明可以通过预处理模块和/或后处理模块的相应电路来控制压力和/或温度。