[发明专利]元件基板、显示装置及元件基板的制造方法在审
申请号: | 201310388267.8 | 申请日: | 2013-08-30 |
公开(公告)号: | CN104425514A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 蔡奇哲;许惠珍;吴威谚;张玮芸 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种元件基板,其特征在于,所述元件基板包括:
一软性基板;
一元件层,设置于所述软性基板上;
一缓冲层,设置于所述软性基板上,并与所述元件层分别位于所述软性基板的相反侧;以及
一界面层,位于所述软性基板与所述缓冲层之间,所述界面层分别包含所述软性基板与所述缓冲层的部分材料。
2.根据权利要求1所述的元件基板,其特征在于,所述软性基板包含有机高分子材料。
3.根据权利要求1所述的元件基板,其特征在于,所述缓冲层的材料包含聚酰亚胺、丙烯或聚硅氧烷的高分子材料。
4.根据权利要求1所述的元件基板,其特征在于,所述界面层由一互穿聚合网络所形成。
5.根据权利要求1所述的元件基板,其特征在于,所述元件基板更包括:
一离型层,设置于所述缓冲层上。
6.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:
一元件基板,具有:
一软性基板;
一元件层,设置于所述软性基板上;
一缓冲层,设置于所述软性基板上,并与所述元件层分别位于所述软性基板的相反侧;及
一界面层,位于所述软性基板与所述缓冲层之间,所述界面层分别包含所述软性基板与所述缓冲层的部分材料。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述软性基板包含有机高分子材料,所述缓冲层的材料包含聚酰亚胺、丙烯或聚硅氧烷的高分子材料。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述界面层由一互穿聚合网络所形成。
9.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述元件基板更具有一离型层,所述离型层设置于所述缓冲层上。
10.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述元件基板为一薄膜晶体管基板、一彩色滤光基板、一有机发光二极管基板或一触控基板。
11.一种元件基板制造方法,其特征在于,所述元件基板制造方法包括:
提供一刚性衬底;
形成一缓冲层于所述刚性衬底之上;
形成一软性基板于所述缓冲层上;
进行一热处理工艺,以于所述软性基板与所述缓冲层之间形成一界面层;以及
形成一元件层于所述软性基板上。
12.根据权利要求11所述的元件基板制造方法,其特征在于,于形成所述缓冲层的步骤之前,所述元件基板制造方法更包括:
形成一离型层于所述刚性衬底上。
13.根据权利要求12所述的元件基板制造方法,其特征在于,所述元件基板制造方法更包括:
分离所述离型层与所述缓冲层,以得到所述元件基板,其中所述元件基板包含所述元件层、所述软性基板、所述界面层及所述缓冲层。
14.根据权利要求12所述的元件基板制造方法,其特征在于,所述元件基板制造方法更包括:
分离所述离型层与所述刚性衬底,以得到所述元件基板,其中所述元件基板包含所述元件层、所述软性基板、所述界面层、所述缓冲层及所述离型层。
15.根据权利要求11所述的元件基板制造方法,其特征在于,所述元件基板制造方法更包括:
分离所述缓冲层与所述刚性衬底,以得到所述元件基板,其中所述元件基板包含所述元件层、所述软性基板、所述界面层及所述缓冲层。
16.根据权利要求13所述的元件基板制造方法,其特征在于,于形成所述缓冲层的步骤之前,所述离型层具有一第一表面及与所述第一表面相对的一第二表面,所述第一表面面向所述刚性衬底,所述第二表面具有一第一部分及一第二部分,所述第二部分围设于所述第一部分,所述元件基板制造方法更包括:
调控所述离型层的所述第二表面的粘着性,以使所述第一部分相对于所述第二部分具有较低的粘着性。
17.根据权利要求13所述的元件基板制造方法,其特征在于,于形成所述缓冲层的步骤之前,所述离型层具有一第一表面及与所述第一表面相对的一第二表面,所述第一表面面向所述刚性衬底,所述元件基板制造方法更包括:
调控所述离型层的所述第一表面与所述第二表面的粘着性,以使所述第二表面相对于所述第一表面具有较低的粘着性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的