[发明专利]CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法有效
申请号: | 201310389178.5 | 申请日: | 2013-08-30 |
公开(公告)号: | CN104425645A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 王振华;陶尚辉;杨凯;刘昌念;谢建;高云峰 | 申请(专利权)人: | 深圳市大族激光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
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地址: | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cigs 薄膜 太阳能电池 mo 方法 | ||
1.一种CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法,其特征在于,包括:
将待清边的电池放置工作台上;
机械刻刀移动到待清边的位置上方;
所述机械刻刀受恒力驱使下降并匀速穿透待清边的电池的透明导电层和CIGS吸收层,其中,所述恒力小于所述机械刻刀穿透所述待清边的电池的MO层所需的力;
所受恒力持续输出,使得所述机械刻刀的刀头正好与所述MO层的表面接触;
所述待清边的电池与所述机械刻刀相对水平移动,刮除掉所述透明导电层和CIGS吸收层的边缘。
2.如权利要求1所述的CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法,其特征在于,所述待清边的电池与所述机械刻刀相对水平移动,刮掉所述透明导电层和CIGS吸收层的边缘步骤具体为:
所述机械刻刀保持位置不变,所述工作台带动所述待清边电池水平移动,刮除掉所述透明导电层和CIGS吸收层的边缘;
或者所述待清边的电池不动,所述机械刻刀水平移动,刮除掉所述透明导电层和CIGS吸收层的边缘。
3.如权利要求1所述的CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法,其特征在于,所述机械刻刀受恒力驱使下降并匀速穿透待清边的电池的透明导电层和CIGS吸收层步骤之前,所述机械刻刀先下降到待清边的电池表面1~2mm处。
4.如权利要求1所述的CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法,其特征在于,所述恒力为1~2N,调节精度为0.01N,波动范围小于5%。
5.如权利要求1所述的CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法,其特征在于,所述工作台上设有吸附装置,所述待清边的电池被吸附在所述工作台上。
6.如权利要求1所述的CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法,其特征在于,所述机械刻刀的刀头为钨钢材质或金刚石材质。
7.如权利要求1所述的CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法,其特征在于,所述机械刻刀的刀头与所述待清边电池的表面垂直度在±5um以内。
8.如权利要求1所述的CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法,其特征在于,所述机械刻刀的刃口宽度为2~4mm。
9.如权利要求1所述的CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法,其特征在于,所述机械刻刀的刀头底部平面度在±5um以内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的