[发明专利]CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法有效
申请号: | 201310389178.5 | 申请日: | 2013-08-30 |
公开(公告)号: | CN104425645A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 王振华;陶尚辉;杨凯;刘昌念;谢建;高云峰 | 申请(专利权)人: | 深圳市大族激光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
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地址: | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cigs 薄膜 太阳能电池 mo 方法 | ||
技术领域
本发明属于CIGS薄膜太阳能电池加工领域,尤其涉及CIGS薄膜太阳能电池加工中的留Mo清边的方法。
背景技术
当今全球光伏市场是以晶体硅太阳能电池为主,但高能耗的生产工艺导致能源资源的快速消耗将使社会无法承受,也必将制约着光伏产业更大规模的发展。因此,发展低成本、新型薄膜太阳能电池是未来国际光伏产业的必然趋势。CIGS(CuInxGa(1-x)Se2的简称)薄膜太阳能电池,由Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)四种元素构成最佳比例的黄铜矿结晶薄膜太阳能电池,是在玻璃或其它廉价衬底上沉积6层以上化合物半导体和金属薄膜料,薄膜总厚度约3~4微米。该电池成本低、性能稳定、抗辐射能力强,其光电转换效率目前是各种薄膜太阳能电池之首,光谱响应范围宽,在阴雨天光强下输出功率高于其它任何种类太阳能电池,被国际上称为下一时代最有前途的廉价太阳能电池之一。
如图1所示,目前国内外的CIGS的产业流程为溅射Mo层、激光刻划Mo(化学元素:钼)层、形成CIGS吸收层、形成CdS(化学名称:硫化镉)缓冲层、机械刻划CIGS层、溅射透明导电膜(TCO)掺铝氧化锌、机械刻划CIGS吸收层和透明导电(TCO)层、清边、封装及测试。其中,激光刻划Mo层、机械刻划CIGS层、机械刻划吸收层和透明导电层、以及清边分别称为CIGS电池膜面的四道刻划工艺:P1、P2、P3和P4。
留Mo清边(P4)的主要目的是为了后道工序的焊接汇流带而去除吸收层和透明导电层的边缘,留Mo清边的宽度一般在4mm左右,同时留Mo清边工艺对加工面的平整度有一定的要求,如果清边的区域凹凸不平,后道工序焊接时汇流带与Mo的接触面积会变小,从而影响后道工序的焊接强度,最终影响电池的电性能。
目前留Mo清边采用的是喷砂的方式来进行,不仅设备极其昂贵,而且磨料是易耗品,需要经过特殊处理且需求量很大,因此带来了极大的成本压力。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法,以解决现有加工工艺复杂、成本高的的问题。
本发明实施例是这样实现的,一种CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的加工方法,所述方法包括:
将待清边的电池放置工作台上;
机械刻刀移动到待清边的位置上方;
所述机械刻刀受恒力驱使下降并匀速穿透待清边的电池的透明导电层和CIGS吸收层;
所受恒力持续输出,使得所述机械刻刀的刀头正好与所述MO层的表面接触;
所述待清边的电池与所述机械刻刀相对水平移动,刮除掉所述透明导电层和CIGS吸收层的边缘;
其中,所述恒力小于所述机械刻刀穿透所述待清边的电池的MO层所需的力。
在其中一个实施例中,所述待清边的电池与所述机械刻刀相对水平移动,刮掉所述透明导电层和CIGS吸收层的边缘步骤具体为:
所述机械刻刀保持位置不变,所述工作台带动所述待清边电池水平移动,刮除掉所述透明导电层和CIGS吸收层的边缘;
或者所述待清边的电池不动,所述机械刻刀水平移动,刮除掉所述透明导电层和CIGS吸收层的边缘。
在其中一个实施例中,所述机械刻刀受恒力驱使下降并匀速穿透待清边的电池的透明导电层和CIGS吸收层步骤之前,所述机械刻刀先下降到待清边的电池表面1~2mm处。
在其中一个实施例中,所述恒力为1~2N,调节精度为0.01N,波动范围小于5%。
在其中一个实施例中,所述工作台上设有吸附装置,所述待清边的电池被吸附在所述工作台上。
在其中一个实施例中,所述机械刻刀的刀头为钨钢材质或金刚石材质。
在其中一个实施例中,所述机械刻刀的刀头与所述待清边电池的表面垂直度在±5um以内。
在其中一个实施例中,所述机械刻刀的刃口宽度为2~4mm。
在其中一个实施例中,所述机械刻刀的刀头底部平面度在±5um以内。
本发明实施例提供了CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法,采用刀刮的方式,利用机械刻刀恒力穿透,可以一次性刮掉透明导电层和CIGS吸收层的边缘,方法简单高效,成本低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的