[发明专利]半导体装置、估计寿命的设备和估计寿命的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

电路板；

多个半导体芯片，其被层叠在所述电路板上方；

第一凸起和第二凸起，其被设置在所述电路板与所述半导体芯片之间的空隙中或者两个半导体芯片之间的空隙中，所述第二凸起比所述第一凸起距离所述半导体芯片的周边部分更远；

第三凸起和第四凸起，其被设置在包括所述电路板与所述半导体芯片之间的空隙以及两个半导体芯片之间的空隙的空隙当中的、除了其中设置有所述第一和第二凸起的空隙之外的任何空隙中，所述第四凸起比所述第三凸起距离所述半导体芯片的周边部分更远；

第一检测单元，其被电连接到所述第一凸起以检测所述第一凸起的破损并生成指示所述第一凸起的破损的第一信号；以及

第二检测单元，其被电连接到所述第三凸起以检测所述第三凸起的破损并生成指示所述第三凸起的破损的第二信号。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述多个半导体芯片包括层叠在所述电路板上方的多个第一半导体芯片以及层叠在所述第一半导体芯片上方的多个第二半导体芯片，

其中所述第一和第二凸起被设置在所述电路板与所述第一半导体芯片之间的空隙中或所述第一半导体芯片中的两个之间的空隙中，且

其中所述第三和第四凸起被设置在所述第一和第二半导体芯片之间的空隙中或所述第二半导体芯片中的两个之间的空隙中。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述多个半导体芯片包括被设置在所述电路板上方的第一半导体芯片以及被设置在所述第一半导体芯片上方的第二半导体芯片，

其中所述第一和第二凸起被设置在所述电路板与所述第一半导体芯片之间的空隙中，且

其中所述第三和第四凸起被设置在所述第一和第二半导体芯片之间的空隙中。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括填充任何空隙的树脂。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括穿过所述多个半导体芯片的通孔，所述通孔部分地包括所述第一和第三凸起。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述通孔被配置为包括设置在所述第一和第三凸起之间的绝缘单元，以电隔离所述第一和第三凸起。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一检测单元测量至少所述第一凸起的第一电特性，并比较所述第一电特性与第一阈值，所述第一阈值指示在所述第一凸起的破损时的电特性以检测所述第一凸起的破损，且

其中所述第二检测单元测量至少所述第三凸起的第二电特性，并比较所述第二电特性与第二阈值，所述第二阈值指示在所述第三凸起的破损时的电特性以检测所述第三凸起的破损。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一和第二电特性的中的每一者是电阻值、电流值和电压值中的任一者。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第一连接单元，其电连接所述第一凸起和所述第一检测单元；以及

第二连接单元，其电连接所述第三凸起和所述第二检测单元，

其中所述第一检测单元还检测所述第一连接单元的破损，且所述第二检测单元还检测所述第二连接单元的破损。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第一信号线，其被电连接到所述第一检测单元；

第二信号线，其被电连接到所述第二检测单元；以及

负载估计单元，其被电连接到所述第一和第二信号线以通过所述第一和第二信号线接收所述第一和第二信号，并计算所述第一和第二信号之间接收时间差以基于该时间差估计所述第二或第四凸起的负载状态。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，还包括：寿命估计单元，其基于所述负载状态估计所述第二或第四凸起的寿命。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述负载状态指示从所述第二或第四凸起的预定基准位置的位移量或在所述第二或第四凸起上施加的应力。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述寿命表示到所述第二或第四凸起破损为止剩余的时间。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述寿命表示到所述第二或第四凸起破损为止的应力的发生周期数。