[发明专利]半导体装置、估计寿命的设备和估计寿命的方法无效
申请号: | 201310389184.0 | 申请日: | 2013-08-30 |
公开(公告)号: | CN103715167A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 山寄优;广畑贤治 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/544;H01L25/16 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 贺月娇;杨晓光 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 估计 寿命 设备 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请基于并要求于2012年9月28日提交的序列号为2012-218786的在先日本专利申请的优先权的权益,其全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
在此描述的实施例一般涉及半导体装置、估计寿命的设备和估计寿命的方法。
背景技术
在层叠的半导体装置(以下被称为半导体装置)中,两个或更多个半导体芯片被层叠在电路板上方。电路板和最下层的芯片通过凸起(bump)而互连。最下面的半导体芯片和在最下层芯片上方层叠的半导体芯片通过凸起而互连。当半导体装置被长期使用时,通常在凸起中产生裂缝。
凸起中裂缝的产生导致半导体装置的故障。由于早期阶段产生的裂缝相当于半导体装置的故障症状或故障本身,因此优选尽早检测到早期阶段产生的裂缝。
但是,由于主要在凸起中发生的应力的性质和受到应力的区域根据电路板的刚度或半导体装置的封装条件而看起来不同,因此很难预先具体指出凸起中在早期阶段发生裂缝的位置。
发明内容
根据一个实施例,一种半导体装置包括电路板、多个半导体芯片、第一和第二凸起以及第三和第四凸起。所述多个半导体芯片被层叠在所述电路板上方。所述第一和第二凸起被设置在所述电路板与所述半导体芯片之间的空隙中或者两个半导体芯片之间的空隙中。所述第二凸起比所述第一凸起距离所述半导体芯片的周边部分(peripheral portion)更远。所述第三和第四凸起被设置在包括所述电路板与所述半导体芯片之间的空隙以及两个半导体芯片之间的空隙的空隙当中的除了其中设置有所述第一和第二凸起的空隙之外的任何空隙中。所述第四凸起比所述第三凸起距离所述半导体芯片的周边部分更远。第一检测单元电连接到所述第一凸起以检测所述第一凸起的破损(damage)并生成指示所述第一凸起的破损的第一信号。第二检测单元电连接到所述第三凸起以检测所述第三凸起的破损并生成指示所述第三凸起的破损的第二信号。可以在早期检测到在使用半导体装置时凸起中产生的裂缝,而不考虑电路板的刚度或半导体装置的封装条件。
根据另一个实施例,一种估计上述的半导体装置的寿命的设备包括负载估计单元和寿命估计单元。所述负载估计单元被配置为接收指示第一凸起的破损的第一信号和指示第三凸起的破损的第二信号并计算所述第一和第二信号之间的接收时间差,以基于该时间差估计第二或第四凸起的负载状态。所述寿命估计单元被配置为基于负载状态估计所述第二或第四凸起的寿命。用户可被督促在所述半导体装置出现问题前停用或修复所述半导体装置。
根据另一个实施例,一种估计上述半导体装置的寿命的方法包括:接收指示所述第一凸起的破损的第一信号和指示所述第三凸起的破损的第二信号,并计算第一和第二信号之间的接收时间差,以基于该时间差来估计第二或第四凸起的负载状态;以及基于所述负载状态估计所述第二或第四凸起的寿命。
附图说明
图1是示例出根据第一实施例的半导体装置的图;
图2是示例出根据第一实施例的半导体装置的横截面图(A-A);
图3是示例出根据第一实施例的半导体装置的横截面图(B-B);
图4是示例出根据第一实施例的半导体装置的横截面图(C-C);
图5是示例出根据第二实施例的半导体装置的图;
图6是示例出根据第二实施例的负载估计单元的操作的流程图;
图7是示例出根据比较例的半导体装置的图;以及
图8是示例出根据比较例的半导体装置的横截面图(D-D)。
具体实施方式
在其中层叠有两个或更多个半导体芯片的半导体装置中,因为电路板和芯片之间的线性膨胀系数存在较大差异,由于使用半导体装置时的温度变化,电路板和芯片之间的膨胀和收缩量(膨胀-收缩量)的差异变得很大。因此,由于温度变化,热应力反复施加在凸起上,从而在凸起和电路板之间或在凸起和芯片之间的界面(边界)附近的凸起的外边缘中逐渐产生裂缝。裂缝从外边缘向着凸起中心逐渐发展。下文中,在凸起中产生裂缝的状态和裂缝完全发展而使得电路断开的状态被统称为破损。此外,如稍后所述,例如可与凸起的预定电特性对应地定义破损。这里,电特性表示特性值,例如,电阻值、电压值、电流值等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310389184.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:锂离子电池内阻分选器
- 下一篇:一种验电器辅助架杆