[发明专利]层排列的制造方法以及层排列

权利要求书

1.层排列的制造方法，包括：

提供具有面的第一层；

在所述第一层中形成朝向所述第一层的所述面开口的一个以上纳米孔；

在形成所述纳米孔之后，在所述第一层的所述面上沉积第二层。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第二层填充所述纳米孔的至少部分并且覆盖所述第一层的所述面的至少部分。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中，在所述第一层中形成所述纳米孔包括：

在所述第一层的所述面上形成纳米多孔掩模层；

使用所述纳米多孔掩模层作为蚀刻掩模蚀刻所述第一层；以及

在蚀刻所述第一层之后去除所述纳米多孔掩模层。

4.根据权利要求3所述的方法，

其中，在所述第一层的所述面上形成所述纳米多孔掩模层包括在所述第一层的所述面上形成纳米多孔氧化铝层。

5.根据权利要求4所述的方法，

其中在所述第一层的所述面上形成所述纳米多孔氧化铝层包括：

在所述第一层的所述面上沉积铝层；以及在酸性电解液中阳极氧化所述铝层。

6.根据权利要求3所述的方法，

其中，在所述第一层的所述面上形成所述纳米多孔掩模层包括在所述第一层的所述面上形成纳米多孔聚合物层。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中，在所述第一层的所述面上形成所述纳米多孔聚合物层包括：

在所述第一层的所述面上沉积嵌段共聚物材料；以及选择性蚀刻所述嵌段共聚物材料的至少一种聚合物组分。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第一层的所述面上沉积所述第二层之后，加热所述第二层；以及

在加热所述第二层之后，在所述第一层的所述面上沉积第三层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第三层包含与所述第二层相同的材料。

10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在加热所述第二层之前清洗所述第二层。

11.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第二层包含以下材料中的一种以上：金属或金属合金、玻璃材料、聚合物材料、陶瓷材料。

12.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第一层包含半导体材料，所述第二层包含金属或金属合金。

13.根据权利要求12所述的方法，

其中，提供所述第一层包括提供半导体衬底，其中，所述第一层是所述半导体衬底的部分。

14.根据权利要求13所述的方法，

其中，所述半导体衬底是晶片。

15.根据权利要求14所述的方法，

其中，所述第一层的所述面是所述晶片的背面，所述第二层包括背面金属化。

16.根据权利要求12所述的方法，

其中，所述第一层包括电气端子区。

17.根据权利要求16所述的方法，

其中，所述电气端子区包括源极/漏极区。

18.层排列的制造方法，包括：

提供具有面的半导体层；

在所述半导体层中形成朝向所述半导体层的所述面开口的多个纳米孔；

在所述半导体层的所述面上沉积金属或金属合金以填充所述纳米孔的至少部分并且覆盖所述半导体层的所述面的至少部分。

19.根据权利要求18所述的方法，

其中，在所述半导体层中形成所述多个纳米孔包括：

在所述半导体层的所述面上形成纳米多孔掩模层；以及使用所述纳米多孔掩模层作为蚀刻掩模蚀刻所述半导体层。

20.根据权利要求19所述的方法，

其中，所述纳米多孔掩模层包含纳米多孔氧化铝或纳米多孔聚合物材料。