[发明专利]层排列的制造方法以及层排列

说明书

技术领域

各种实施方式大体上涉及层排列的制造方法，并且涉及层排列。

背景技术

例如，诸如集成电路（IC）器件或芯片的现代半导体器件通常可以具有层排列，该层排列包括一个以上绝缘层、半导电层和/或导电层。在许多情况下，这样的层排列的形成可以包括将一个层沉积在另一层上。例如，可以通过在下层上沉积诸如金属或金属合金的导电材料来形成导电层。在层沉积的背景下，希望提高在沉积层和下层之间例如沉积金属和下半导体层（例如，硅层）之间的粘合度。

在金属沉积的背景下，增强金属和诸如硅的半导体之间粘合度的常规方法可以包括粗糙化和等离子体清洗硅表面。然而，控制表面粗糙度是困难的，并且导致的沉积金属的粘合度对于一些情况可能是不足的。

发明内容

根据各种实施方式的层排列的制造方法可以包括：提供具有面的第一层；在第一层中形成朝向第一层的面开口的一个以上纳米孔；在形成纳米孔之后在第一层的面上沉积第二层。

附图说明

在附图中，相似参考字符一般贯穿不同视图指代相同部件。附图不必需按比例绘制，代替地重点一般置于图解各种实施方式的原理上。在以下描述中，各种实施方式参考以下附图描述，其中：

图1示出根据各种实施方式的层排列制造方法；

图2示出根据各种实施方式的层排列制造方法；

图3示出根据各种实施方式的层排列制造方法；

图4A到4F示出说明根据各种实施方式的层排列制造方法的剖面图；

图5A到5D示说明根据各种实施方式的层排列制造方法的剖面图；

图6示出用于图解各种实施方式的方面的扫描电子显微镜图像；

图7示出用于说明一个或多个实施方式的方面的图示；

图8示出用于说明一个或多个实施方式的方面的图示；

图9A到9D示出说明说明一个或多个实施方式的方面的图示的剖面图。

具体实施方式

以下详细描述涉及附图，该附图经由图解示出可以实践本发明的具体细节和实施方式。这些实施方式在充足详情中描述从而使得本领域技术人员能够实践本发明。可以利用其他实施方式，并且在不背离本发明的保护范围的情况下发生可以进行结构的、逻辑的和电气的改变。由于一些实施方式可以与一个或更多其他实施方式组合从而形成新的实施方式，因此各种实施方式不必排它。

本披露的各种方面为方法提供，并且本披露的各种方面为器件或制造提供。理解方法的基本性质也适用于器件或制造，并且反之亦然。因为简洁，这样性质的重复描述可以省略。

如在此使用的术语“至少一个”或“一个以上”可以理解成包括大于或等于一的任何整数数目。

如在此使用的术语“多个”可以理解成包括大于或等于二的任何整数数目。

如在此使用的术语“耦合”或“连接”可以理解成分别包括直接“耦合”或直接“连接”，以及间接“耦合”或间接“连接”。

如在此使用的术语“在上形成”、“在上沉积”、“在上设置”、“在上定位”、“在上布置”可以理解成旨在包括第一元件或层可以在其与第二元件或层之间没有进一步的元件或层的情况下，在第二元件或层上直接形成、沉积、设置、定位或布置的排列，以及第一元件或层可以在第一元件或层与第二元件或层之间的一个或更多的另外层或元件的情况下，在第二元件或层上形成、沉积、设置、定位或布置的排列。

如在此使用的术语“纳米孔”或“纳米孔隙”和“纳米空腔”可以理解成分别包括在至少一个空间方向上在纳米范围内具有广度，可替换地在至少两个空间方向上在纳米范围内具有广度，可替换地在所有空间方向上在纳米范围内具有广度的孔洞、孔隙或腔室。

如在此使用的术语“纳米多孔层”或“纳米多孔材料”可以理解成包括具有一个以上纳米孔隙或纳米孔，例如多个（例如，数十个、数百个或数千个，甚至更多）纳米孔隙或纳米孔的层或材料。纳米多孔层的一个或更多纳米孔隙或纳米孔可以例如从该层的第一侧面通向该层的第二（例如，相反）侧面。例如，纳米多孔层的一个以上纳米孔隙或纳米孔可以在该纳米多孔层中形成一个以上通道，例如将该纳米多孔层的第一侧面与第二侧面连接。

各种实施方式提供了层排列的制造方法和层排列，其中沉积层（例如，金属层或金属合金层，可替换地包括其他材料或由其他材料构成的层）与下层（例如，半导体层，例如，硅层，可替换地包括其他材料或由其他材料构成的层）的粘合度可以借助于沉积层的材料（例如，金属或金属合金）和下层的材料（例如，硅）的物理联锁来改善。