[发明专利]半导体封装件、其制造方法及其使用的切割冶具

权利要求书

1.一种切割冶具，其特征在于，包括：

一冶具本体，具有一上表面；

一气室，从该冶具本体的该上表面往下延伸而形成一气室底面；

一吸气道，从该气室的该气室底面往下延伸；

一接点容纳槽，从该冶具本体的该上表面往下延伸，用以容纳一待切割封装结构的数个电性接点；以及

一第一挡墙，设于该接点容纳槽与该气室之间，其中该待切割封装结构抵压于该第一挡墙的上表面。

2.一种使用如权利要求1所述的切割冶具制作的半导体封装件，其特征在于，包括：

一基板，具有一上表面及一下表面；

一半导体芯片，设于该基板的该上表面；

一封装体，形成于该基板的该上表面上且包覆该半导体芯片；数个电性接点，形成于该基板的该下表面；以及

一散热板，设于该封装体上且具有一上表面、一外侧面及一毛边，该毛边形成于该散热板的该上表面与该外侧面之间，且该毛边的突出量小于3密耳。

3.如权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，该基板及该封装体各具有一外侧面，该封装体的该外侧面、该基板的该外侧面与该散热板的该外侧面对齐。

4.一种使用如权利要求1所述的切割冶具制作半导体封装件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一待切割封装结构，该待切割封装结构包括一基板、一半导体芯片、一封装体、数个电性接点及一散热板，该基板具有一上表面及一下表面，该半导体芯片设于该基板的该上表面上，该封装体形成于该基板的该上表面上且包覆该半导体芯片，该数个电性接点形成于该基板的该下表面上，而该散热板设于该封装体上且具有一上表面；

设置该待切割封装结构于该切割冶具上，其中该待切割封装结构以该基板的该下表面设于该切割冶具上；以及

从该散热板往该基板的方向，单一化该待切割封装结构，使该散热板形成一毛边及一外侧面，该毛边形成于该散热板的该上表面与该外侧面之间且该毛边的突出量小于3密耳。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，于单一化该待切割封装结构的步骤中包括：

形成一切割道经过整个该散热板、整个该封装体及整个该基板，以切断该散热板、该封装体及该基板，其中，该封装体及该基板各形成一外侧面，该封装体的该外侧面、该基板的该外侧面与该散热板的该外侧面对齐。

6.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，该切割冶具包括数个接点容纳槽；

于设置该待切割封装结构于该切割冶具的步骤中，该些电性接点的一第一部分容纳于该气室，而该些电性接点的一第二部分容纳于该些接点容纳槽。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，该些电性接点的该第一部分位于该基板的该下表面的中间区域，而该些电性接点的该第二部分位于该基板的该下表面的周边区域。

8.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，该接点容纳槽是一封闭环形容置槽，该些电性接点的一第一部分容纳于该气室，而该些电性接点的一第二部分容纳于该接点容纳槽。

9.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，设置该待切割封装结构于该切割冶具的步骤中，该气室的开口面积占该半导体封装的面积的60％至80％之间。

10.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，各该接点容纳槽的最大宽度介于对应的该电性接点的外径的1.1至1.5倍之间。

11.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，该冶具本体的一上表面与该接点容纳槽的底面相距一第一距离，该基板的该下表面与该些电性接点的底面相距一第二距离，该第一距离大于该第二距离。