[发明专利]半导体封装件、其制造方法及其使用的切割冶具

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装件、其制造方法及其使用的切割冶具，且特别是有关于一种从散热板往基板方向切割而形成的半导体封装件、其制造方法及其使用的切割冶具。

背景技术

为了散热，传统半导体封装件包括散热板，以快速散逸半导体封装件的热量。散热板多是额外制作后再黏贴于封胶上。然而，在单一化步骤中，由于散热板受到刀具切割力的撕扯，因此容易导致散热板与封胶之间结合性降低。

发明内容

本发明是有关于一种半导体封装件、其制造方法及其使用的切割冶具，一实施例中，散热板与封装体之间的结合性不会因为切割而过度下降。

根据本发明的一实施例，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一半导体芯片、一封装体、数个电性接点及一散热板。基板具有一上表面及一下表面。半导体芯片设于基板的上表面。封装体形成于基板的上表面上且包覆半导体芯片。电性接点形成于基板的下表面。散热板设于封装体上且具有一上表面、一外侧面及一毛边。毛边形成于散热板的上表面与外侧面之间，且毛边的突出量小于3密耳。

根据本发明的另一实施例，提出一种切割冶具。切割冶具包括一冶具本体、一气室、一吸气道、一接点容纳槽及一第一挡墙。冶具本体具有一上表面。气室从冶具本体的上表面往下延伸而形成一气室底面。吸气道从气室的气室底面往下延伸。接点容纳槽从冶具本体的上表面往下延伸，用以容纳一待切割封装结构的数个电性接点。第一挡墙设于接点容纳槽与气室之间。待切割封装结构抵压于第一挡墙的上表面上。

根据本发明的另一实施例，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一待切割封装结构。待切割封装结构包括一基板、一半导体芯片、一封装体、数个电性接点及一散热板，基板具有一上表面及一下表面，半导体芯片设于基板的上表面上，封装体形成于基板的上表面上且包覆半导体芯片，电性接点形成于基板的下表面上，而散热板设于封装体上且具有一上表面；设置待切割封装结构于一切割冶具上，其中待切割封装结构以基板的下表面设于切割冶具上；以及，从散热板往基板的方向，单一化待切割封装结构，使散热板形成一毛边及一外侧面，毛边形成于散热板的上表面与外侧面之间且毛边的突出量小于3密耳。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。

图2A至2D绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的切割过程图。

图3绘示依照本发明另一实施例的切割冶具的剖视图。

图4绘示依照本发明另一实施例的切割冶具的外观图。

符号说明：

100：半导体封装件

100'：待切割封装结构

110：基板

110b：下表面

110s、140s、150s：外侧面

110u、140u、150u、210u、211u、212u、213u：上表面

120：半导体芯片

120a：主动面

121：焊线

130：电性接点

130b、210b2：底面

131：第一部分

132：第二部分

140：封装体

150：散热板

151：毛边

210：冶具本体

210b1：气室底面

210g：吸气道

210r1：气室

210r2、210r2’’：接点容纳槽

210r3：切割槽

210r4：通气孔

211：第一挡墙

212：第二挡墙

213：第三挡墙

200、200’、200’’：切割冶具

220：刀具

300：真空源

A1：开口面积

A2：横向面积

H1：第一距离

H2：第二距离

L：突出量

P：切割道

W1：宽度

W2：外径

具体实施方式

请参照图1，其绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件100包括基板110、半导体芯片120、数个电性接点130、封装体140及散热板150。