[发明专利]一步法吸收层前掺钠柔性太阳电池的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310394646.8 申请日: 2013-09-03
公开(公告)号: CN104425648A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 乔在祥;张嘉伟;李巍;姚聪;张旭;冯洋;冯金晖 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十八研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 代理人: 李凤
地址: 300384 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一步法 吸收 层前掺钠 柔性 太阳电池 制备 方法
【权利要求书】:

1.一步法吸收层前掺钠柔性太阳电池的制备方法,其特征在于:包括以下制备步骤:

步骤1.制备聚酰亚胺膜-苏打玻璃构成的刚性复合衬底;

步骤2.在刚性复合衬底的聚酰亚胺膜上制备前掺钠柔性太阳电池;制备过程包括:在步骤1的聚酰亚胺膜上依次制备Mo背接触层、氟化钠预置层、铜铟镓硒吸收层、硫化镉缓冲层、透明窗口层和上电极;所述氟化钠预置层的制备过程包括:制有背接触层的刚性复合衬底置于薄膜制备系统的硒化炉中,将硒化炉抽真空,衬底温度为200-300℃,NaF蒸发源的温度达到800-850℃时,蒸发1-2min;衬底温度达到400-450℃,在Se气氛下进行退火,其中Se蒸发源的温度为240-280℃,退火时间为20-30min;背接触层上形成氟化钠预置层;所述铜铟镓硒吸收层的制作过程包括:制有氟化钠预置层的刚性复合衬底置于薄膜制备系统的硒化炉中;将硒化炉抽真空,刚性复合衬底温度为550-580℃时,共蒸发Cu、In、Ga、Se,其中Cu蒸发源温度为1120-1160℃,In蒸发源温度为850-900℃,Ga蒸发源温度为880-920℃,Se蒸发源温度为240-280℃,蒸发时间为25-30min;关闭蒸发源,刚性复合衬底冷却到25℃时,氟化钠预置层上形成1.5-2μm厚的p-CIGS薄膜,即为铜铟镓硒吸收层。

步骤3.将聚酰亚胺膜与苏打玻璃分离,完成刚性衬底制备一步法吸收层前掺钠柔性太阳电池的过程。

2.根据权利要求1所述的一步法吸收层前掺钠柔性太阳电池的制备方法,其特征在于:步骤1中刚性复合衬底的制备过程包括:

(1)对苏打玻璃进行表面清洗;

(2)将聚酰亚胺胶均匀涂覆于苏打玻璃表面,形成聚酰亚胺预制膜;

(3)将涂有聚酰亚胺预制膜的苏打玻璃放入烘箱内进行固化,即得到聚酰亚胺膜-苏打玻璃构成的刚性复合衬底。

3.根据权利要求1所述的一步法吸收层前掺钠柔性太阳电池的制备方法,其特征在于:步骤3中聚酰亚胺膜与苏打玻璃分离过程包括:

(1)将制有一步法吸收层前掺钠柔性太阳电池的刚性复合衬底放入真空烘箱,加热至80-90℃,持续2-3min;

(2)将刚性复合衬底取出蘸入零下100℃的液氮后,自然回复至室温,聚酰亚胺膜自动从苏打玻璃上脱落,完成刚性衬底制备一步法吸收层前掺钠柔性太阳电池的过程。

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