[发明专利]微芯片熔断器有效
申请号: | 201310394917.X | 申请日: | 2013-09-03 |
公开(公告)号: | CN103794426A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 元世喜;文齐道 | 申请(专利权)人: | ORISEL株式会社 |
主分类号: | H01H85/046 | 分类号: | H01H85/046 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 熔断器 | ||
技术领域
本发明涉及一种微芯片熔断器(Micro chip fuse),更详细地涉及一种能够在过电流供给时遮断电流的微芯片熔断器及其制备方法。
背景技术
用电设备可通过从内置电池或外部接收的电来工作。但是,在过电流供给的情况下,可能损坏部件,而引发设备工作不良的问题。
熔断器作为用于防止这类现象的过电流保护装置,向设备供给额定电流以上的过电流的情况下,熔断器就会断开电供给。在电力供应源和设备的部件之间配置熔断器,在异常地供给过电流的情况下,因熔断器而断线,从而能够防止设备的部件和内部电路等的损坏现象。
即,熔断器通过调节熔体的电阻,在有过电流流动的情况下,熔体熔断而遮断电路,从而起到保护电子部件和电路的作用。
特别是,正在致力于开发出小型熔断器,以能够应用于小型电子设备,近来,随着设备逐渐小型化的趁势,多使用电子设备的基板等所使用的表面封装形态的超小型熔断器。作为如上所述的超小型熔断器的一种,可举例微芯片熔断器,虽然是超小型,也要求优秀的电源遮断特性等。
一般,如图1及图2所示,微芯片熔断器具有在陶瓷片10、20之间配置银材质的导电性元件(Element)30的层叠结构。并且,微芯片熔断器包括分别包围层叠结构的两端的同时与元件30的两端接触的端电极(Termination electrode)40。端电极40执行向元件30施加电流的外部电极的作用,元件30执行内部电极的作用,使得电流通过微芯片熔断器流动。
例如,如上所述的微芯片熔断器连接在供电部和整流电路部之间,在从供电部供给额定电流以内的电流的情况下,微芯片熔断器使电流供给到整流电路部。即,元件30因过电流引起的热而熔断。
相反,在供给过电流的情况下,元件30熔断而将连接整流电路部的电流供应路径断开,由此,能够保护整流电路部和多个部件。
此时,元件30只有在过电流供给时迅速且可靠地熔断才有效。但是,现有的微芯片熔断器都是在元件的上下分别配置陶瓷片10、20的层叠结构,因此,在过电流供给时,在元件30生成的热经过陶瓷片10、20传递到封装有微芯片熔断器的印刷电路基板等,由此,存在元件30在需要熔断的额定电流的条件下不能熔断而只有在过电流更多或过电流流动时间更长的条件下才产生熔断的问题。即,由于元件30的一部分冷却,不能迅速达到熔点,因此在供给过电流的情况下,也不能及时遮断电流,而发生时间延迟或无法遮断电流的现象。
特别是,在微芯片熔断器受到如计算机的冷却扇等冷却部的影响的情况下,如上所述的问题会更加严重。
并且,在因过电流而熔断时,因短路冲击而遭到破坏的元件30及陶瓷片10、20可能向外部飞散,存在周围部件等损坏及短路等的问题。
另一方面,为了减少向陶瓷片10、20传递的热,可层叠多孔片。但是,在此情况下,在制备过程中,元件30的一部分流入多孔片的微细空洞而被吸附,且元件30层不能形成为扁平且均匀的形态。因此,存在电阻值发生偏差且额定遮断容量降低的缺点。并且,由于元件30层不均匀,即使以相同的工序制备,也会发生每个产品的容量偏差且增加不良率的问题。
发明内容
本发明的一个目的在于,提供一种能够实现迅速且可靠的短路的微芯片熔断器。
并且,本发明的再一个目的在于,提供一种能够在短路时防止冲击飞散的微芯片熔断器。
并且,本发明的另一个目的在于,提供一种能够使电阻值的偏差及额定遮断容量的降低最小化的微芯片熔断器。
并且,本发明的还一个目的在于,提供一种能够减少不良率的微芯片熔断器。
本发明的微芯片熔断器包括:板状的第一绝热片;基层,其形成于上述第一绝热片上;导电性元件,其形成于上述基层上;第二绝热片,其形成于上述元件上;一对导电性端电极,分别与上述元件的两端相接触;第一基片,其形成于上述第一绝热片的下部;以及板状的第二基片,其形成于上述第二绝热片上。
优选的是,还包括在上述第二绝热片与上述元件之间形成的覆盖层。
优选的是,上述元件包括一对电极元件和可熔元件,其中上述可熔元件将上述一对电极元件连接起来,使得上述一对电极元件之间通电,上述电极元件上不形成上述覆盖层。
优选的是,上述第一基片、上述第二基片及上述基层由陶瓷材质形成,上述第一绝热片及上述第二绝热片由多孔性陶瓷材质形成,上述覆盖层由熔点高于上述陶瓷材质的材质形成。
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