[发明专利]树脂薄膜和树脂薄膜的制造方法有效

专利信息
申请号: 201310395166.3 申请日: 2013-09-03
公开(公告)号: CN103665408B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 北岸一志;国方智;宫武稔 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C08J7/04 分类号: C08J7/04;C08L67/02;C09D5/24;G02B1/10;G02B5/30
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 树脂 薄膜 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种树脂薄膜,其包含:

基材薄膜;和

形成于所述基材薄膜的一侧上且由粘结剂树脂、导电性材料和交联剂形成的抗静电层,

其中:

所述粘结剂树脂为聚氨酯系树脂;

所述抗静电层的算术平均表面粗糙度Ra为10nm以上且100nm以下;和

所述导电性材料为导电性聚合物。

2.根据权利要求1所述的树脂薄膜,其中对所述抗静电层实施拉伸处理。

3.根据权利要求1所述的树脂薄膜,其中所述基材薄膜由聚酯系树脂形成。

4.根据权利要求1所述的树脂薄膜,其中所述导电性聚合物为聚噻吩系聚合物。

5.根据权利要求1所述的树脂薄膜,其中所述抗静电层具有小于10×1013Ω/□的表面电阻值。

6.根据权利要求1所述的树脂薄膜,其中所述树脂薄膜具有89%以上的总透光率(Tt)。

7.根据权利要求1所述的树脂薄膜,其中所述聚氨酯系树脂具有羧基。

8.根据权利要求1所述的树脂薄膜,其中对所述抗静电层实施拉伸处理且所述抗静电层具有小于10×1013Ω/□的表面电阻值,所述基材薄膜由聚酯系树脂形成,所述导电性聚合物为聚噻吩系聚合物,所述聚氨酯系树脂具有羧基,以及所述树脂薄膜具有89%以上的总透光率(Tt)。

9.一种树脂薄膜的制造方法,其包括:

用由聚氨酯系树脂、导电性聚合物和交联剂形成的树脂组合物在基材薄膜的一侧上形成抗静电层;和

拉伸所述基材薄膜,

所述抗静电层在拉伸后的算术平均表面粗糙度Ra为10nm以上且100nm以下。

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