[发明专利]导电插塞的形成方法

权利要求书

1.一种导电插塞的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成第一伪栅结构、第二伪栅结构，所述第一伪栅结构和所述第二伪栅结构包括栅介质层和位于所述栅介质层上的伪栅极，所述第一伪栅结构、第二伪栅结构作为SRAM单元的两个上拉晶体管的中间结构，所述两个上拉晶体管为PMOS晶体管；

在所述第一伪栅结构周围形成第一侧墙，在所述第二伪栅结构周围形成第二侧墙；

形成侧墙后，在所述第一伪栅结构两侧形成第一源极、第一漏极，在所述第二伪栅结构两侧形成第二源极、第二漏极，所述第一漏极、第二漏极位于所述第一伪栅结构和第二伪栅结构之间；

形成第一层间介质层，与所述伪栅极相平；

去除所述伪栅极，在所述第一层间介质层内形成栅极凹槽，在所述栅极凹槽处填充金属栅极，形成第一栅极结构和第二栅极结构；

形成第二层间介质层，覆盖所述第一层间介质层和金属栅极；

在所述第一层间介质层和所述第二层间介质层内形成第一通孔、第二通孔，所述第一通孔底部露出部分所述第一栅极结构、所述第二漏极和部分第一侧墙，所述第二通孔底部露出部分所述第二栅极结构、所述第一漏极和部分第二侧墙，所述第一通孔和第二通孔内的金属栅极顶部具有第一氧化层；

采用第一刻蚀去除所述第一氧化层；

去除所述第一氧化层后，在所述第一通孔和第二通孔内填充导电层形成导电插塞。

2.如权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀采用的刻蚀气体为HBr和Ar的混合气体。

3.如权利要求2所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述采用第一刻蚀去除所述第一氧化层的工艺条件为：射频电压为：5～500mTor；射频功率为100～1000W；HBr气体的流速为10～500sccm；Ar气体的流速为50～500sccm；刻蚀时间为5～600s。

4.如权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，在所述第一伪栅结构两侧形成第一源极、第一漏极，在所述第二伪栅结构两侧形成第二源极、第二漏极的步骤包括：

分别以所述第一伪栅结构、第二伪栅结构为掩膜刻蚀衬底，分别在所述第一伪栅结构、第二伪栅结构两侧的衬底内形成sigma形凹槽；

在所述sigma形凹槽内填充满锗硅；

以所述第一伪栅结构为掩膜对所述锗硅进行离子注入形成第一源极、第一漏极，以所述第二伪栅结构为掩膜对所述锗硅进行离子注入形成第二源极、第二漏极。

5.如权利要求4所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述锗硅高出衬底表面的厚度为50～400埃。

6.如权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，形成所述第一层间介质层的步骤之前，还包括步骤：在所述第一源极、第二源极、第一漏极、第二漏极的表面形成金属硅化物层；

形成所述第一通孔和第二通孔后，所述第一通孔和第二通孔内的金属硅化物层的表面形成第二氧化层；

采用第二刻蚀去除所述第二氧化层。

7.如权利要求6所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀采用的气体为NF₃和NH₃的混合气体。

8.如权利要求7所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述采用第二刻蚀去除所述第二氧化层的工艺条件为：射频电压为：1～50Torr；射频功率为10～500W；NF₃气体的流速为10～100sccm；NH₃气体的流速为10～200sccm；刻蚀时间为10～6000s。

9.如权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述伪栅极的材料为多晶硅，所述金属栅极的材料为铝。