[发明专利]处理装置、制造处理液体的方法和制造电子器件的方法

说明书

相关申请的交叉参考

本申请基于并要求2012年9月20日提交的日本专利申请第2012-207599号的优先权的权益；其全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本文所描述的实施方案大体上涉及处理装置、制造处理液体的方法和制造电子器件的方法。

背景技术

存在以下技术：将氯气供应到TMAH(氢氧化四甲基铵，(CH₃)₄NOH)水溶液以制造含有TMAOCl(次氯酸四甲基铵)的处理液体。

然而，使用氯气需要注意对氯气进行处理。此外，在将氯气供应到TMAH水溶液以制造处理液体的方法中，制造过程的可控性不好。

因此，人们期望提高处理液体的生产率。

发明内容

一般来说，根据一个实施方案，处理装置包括电解单元、碱添加单元和处理单元。电解单元包括阳极电极和阴极电极。电解单元经配置以电解含有不含金属的碱、盐酸和水的溶液。碱添加单元经配置以进一步将不含金属的碱添加到已经过电解的溶液。处理单元经配置以使用已经经过电解且其中进一步添加不含金属的碱的溶液执行对将处理物体的处理。

附图说明

图1是说明根据第一实施方案的处理装置1的示意图;

图2是说明处理液体130的特性的图形；

图3是说明在处理液体130的氢离子指数为pH10的情况下次氯酸的浓度与被允许静置的时间之间的关系的图形；

图4是说明在氢离子指数为pH10的情况下处理液体的处理能力的图形；

图5A和5B是说明处理液体对硅晶片的表面的影响的图形；

图6是说明处理液体对硅晶片的表面的粗糙度的影响的图形；

图7是说明处理液体的有机物质去除能力的图形；

图8是说明处理液体的有机物质去除能力的图形；

图9是说明处理液体的硅氧化物去除能力的图形；

图10是说明电解单元14中的电解效率的图形；

图11是说明根据第二实施方案的处理装置1a的示意图；

图12是说明在添加氨的情况下的处理能力的图形；

图13是说明添加氨的影响的图形；

图14A和14B是说明添加碱的位置的示意图；且

图15是说明根据第三实施方案制造处理液体的方法的流程图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图来描述实施方案。在附图中，相同的组件用相同的附图标记来标注，并且根据需要省略了详细描述。

第一实施方案

图1是说明根据第一实施方案的处理装置1的示意图。

如图1中所示，罐11(对应于第二罐的实例)、罐12(对应于第一罐的实例)、罐13、电解单元14、氯气回收单元15、碱添加单元16和处理单元17提供于处理装置1中。

罐11存储溶液110。

溶液110可以是用于制造处理液体的源液体。

此处，处理装置1可以用于例如诸如半导体器件和平板显示器等电子器件的制造工艺。

在用于电子器件的制造工艺的情况下，在处理液体中必须不含诸如钠离子等金属离子。

因此，溶液110不含诸如钠离子等金属离子。溶液110是例如含有不含金属的碱、盐酸和水的溶液。不含金属的碱是例如诸如TMAH和胆碱等有机碱、氨等等。

两种或更多种不含金属的碱可以含于溶液110中。

管道19a的一端连接到罐11。阀20连接到管道19a的另一端。管道19b的一端连接到阀20。管道19b的另一端连接到罐12。阀20可以为例如电磁阀等等。存储于罐11中的溶液110可以通过管道19a、阀20和管道19b流入罐12中。阀20使得能够开始和终止溶液110的流入、控制流入量等。可以提供诸如泵等供应单元以将存储于罐11中的溶液110供应到罐12。

在罐12中，在开始时存储从罐11供应的溶液110。如下文所述，溶液110在电解单元14中电解成溶液120。溶液120在罐12与电解单元14之间循环。通过溶液120在电解单元14中被电解，产生次氯酸(HClO)。因此，在开始时，存储于罐12中的溶液120与溶液110具有相同组份，但溶液120中次氯酸的浓度逐渐增加。

管道19c的一端连接到罐12。诸如泵等供应单元21连接到管道19c的另一端。管道19d的一端连接到供应单元21。管道19d的另一端连接到电解单元14。