[发明专利]一种钌薄膜的制备方法

权利要求书

1. 一种钌薄膜的制备方法，采用等离子体原子层淀积技术，其特征在于具体步骤为：

（1）反应腔预先加热至225℃~275℃；将需要生长钌薄膜的基底放入反应腔中；

（2）利用等离子体增强原子层淀积工艺制备钌薄膜，钌薄膜厚度由反应周期数控制；   

（3）在氢气和氮气的混合气体氛围下对所制得的钌薄膜进行高温退火处理。

2. 根据权利要求1所述的钌薄膜的制备方法，其特征在于步骤（2）中控制反应周期数为150~300。

3. 根据权利要求1所述的钌薄膜的制备方法，其特征在于步骤（2）中利用等离子体增强原子层淀积工艺制备钌薄膜的单个反应周期包括：将双(乙基环戊二烯基)钌(II)加热至105℃~120℃，得到的挥发气体通入反应腔中，通入时间为2秒~8秒，排空反应腔，用功率为80瓦~120瓦的氧气等离子体对基底进行曝光，曝光时间为0.5秒~3秒，排空反应腔。

4. 根据权利要求1所述的钌薄膜的制备方法，其特征在于步骤（3）中所述的氢气和氮气的混合气体中，氢气的比例为3%~10%。

5. 根据权利要求1所述的钌薄膜的制备方法，其特征在于步骤（3）中所述的高温退火的温度为250℃~450℃，退火时间为2分钟~5分钟。