[发明专利]一种微晶α-Al2O3 聚集体的制备方法有效
申请号: | 201310407003.2 | 申请日: | 2012-08-10 |
公开(公告)号: | CN103496727A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 陈代荣;张建;焦秀玲;张立 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | C01F7/30 | 分类号: | C01F7/30 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 王绪银 |
地址: | 250100 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 al sub 聚集体 制备 方法 | ||
本申请是201210285200.7的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种氢氧化铝凝胶及利用氢氧化铝凝胶作原料制备微晶α-Al2O3聚集体材料的方法,属于无机非金属材料领域。
背景技术
微晶α-Al2O3聚集体材料可用于化学化工、绝缘材料、催化剂载体、陶瓷、航天航空、电子等多个基础行业与领域,尤其作为陶瓷材料应用最为广泛。微晶α-Al2O3聚集体作为一种重要的陶瓷材料,一直是国内外研究的热点,特别是在近年来迅速发展起来的微晶刚玉磨料、电子陶瓷及透明陶瓷等行业的研究和应用最为典型。
自20世纪80年代以来,α-Al2O3的制备技术发展迅速。α-Al2O3通常是由原料经高温煅烧制得,因而原料的选择与制备工艺对α-Al2O3的性能有很大影响。目前α-Al2O3聚集体的主要制备方法有固相法和液相法,固相法是将铝盐或氧化铝研磨后煅烧,通过发生固相反应直接制得α-Al2O3聚集体,参见USP4786292;USP4799938,但固相法易引入杂质,后期煅烧温度过高,耗能大,对设备要求高。
常用的制备微晶α-Al2O3聚集体的三种前驱体是Al2O3、勃姆石及氢氧化铝。
一、以Al2O3为前驱体,通常与各种添加剂(如MgO、Fe2O3、SiO2等)湿混球磨后直接在常压下高温煅烧而成,参见USP3808015;EP0152768B1;EP0324513B1;CN101993239。中国专利CN102093038报道的一种制备微晶α-Al2O3透明陶瓷的方法,它摈弃传统的湿混球磨,采用化学异质形核沉淀法,以MgO做烧结助剂,经无压烧结及真空或还原气氛中再次煅烧;而美国专利USP5665127则采用热压烧结工艺得到微晶α-Al2O3聚集体。但以Al2O3为前驱体,烧结助剂分散不均匀,后期较高的煅烧温度及较长的煅烧时间导致能耗较大。
二、以勃姆石为前驱体,通常采用溶胶-凝胶工艺,以MgO、Fe2O3等做烧结助剂,纳米级氧化铝作为晶种,经高温煅烧得到微晶α-Al2O3聚集体,参见USP4964883;USP5453104;USP5611829;EP0200487B1;EP0373765B1。但由于目前市场上勃姆石产品颗粒尺寸较大、纯度低(含有钠、钙离子等),造成烧结后的微晶α-Al2O3聚集体晶粒尺寸大,杂质含量高,且需要的烧结温度较高、烧结时间长,即使添加烧结助剂,煅烧温度也高达1300℃以上。
三、以氢氧化铝为前驱体,通常选用无定形氢氧化铝或超细氢氧化铝为原料,引入晶种及烧结助剂后,常压高温煅烧而得到微晶α-Al2O3聚集体,参见USP363406;USP3965042;US5432137;CN101343176。中国专利CN1772695A以超细氢氧化铝为原料,首先制备出α-Al2O3,再与氢氧化铝和拟薄水铝石混合研磨后在1250-1650℃煅烧,得到初级晶粒粒径200nm-2μm的微晶氧化铝聚集体,可用作微晶刚玉磨料,氧化铝透明陶瓷灯等;而美国专利US6015456则以氢氧化铝为原料,利用水热反应得到微晶α-Al2O3聚集体。
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