[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法有效
| 申请号： | 201310407724.3 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104425345B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 拐角处 浅沟槽隔离结构 浅沟槽隔离区 介质层 衬底 击穿 半导体 离子 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括步骤：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成第一介质层和硬掩膜层；
依次刻蚀所述硬掩膜层、第一介质层以及半导体衬底，形成浅沟槽隔离区，所述半导体衬底在所述浅沟槽隔离区处存在拐角；
对所述半导体衬底在浅沟槽隔离区处的拐角进行回刻蚀；
在所述浅沟槽隔离区内形成第二介质层，所述第二介质层暴露出所述拐角；
对所述拐角进行离子注入处理，以降低所述拐角处的应力，所述离子注入处理使用的离子束与水平线呈预定夹角；
在所述第二介质层表面形成第三介质层。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入处理使用的离子束包括锑离子、碳离子和氮离子。
3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入处理使用的离子束包括C
4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入处理使用的离子束包括BF
5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入处理的离子能量范围是3KeV～30KeV。
6.如权利要求5所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入处理的离子剂量范围是1e15/cm
7.如权利要求6所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入处理的离子束与水平线呈预定夹角的范围是10°～35°。
8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材质为二氧化硅，厚度范围是100埃～400埃。
9.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材质为氮化硅，厚度范围是400埃～800埃。
10.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层与所述第三介质层的材质均为二氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
