[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310407944.6 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104425442A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 陈美丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的功能器件；形成于所述功能器件上的MIM电容器；其中，在所述功能器件和所述MIM电容器之间形成有一屏蔽层。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽层为接地的金属层。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽层为接地的铜金属层或者接地的铝金属层。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽层在所述半导体衬底上的投影笼罩所述MIM电容器在所述半导体衬底上的投影。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述MIM电容器包括金属下极板、位于金属下极板上的绝缘层、及位于绝缘层上的金属上极板，所述屏蔽层紧靠所述金属下极板。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括与所述屏蔽层位于同层的金属互连线，所述屏蔽层与位于同层的金属互连线断开。
7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成功能器件；
在所述功能器件上形成屏蔽层；
在所述屏蔽层上形成MIM电容器。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述屏蔽层为接地的金属层。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述屏蔽层为接地的铜金属层或者接地的铝金属层。
10.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述屏蔽层在所述半导体衬底上的投影笼罩所述MIM电容器在所述半导体衬底上的投影。
11.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述MIM电容器包括金属下极板、位于金属下极板上的绝缘层、及位于绝缘层上的金属上极板，所述屏蔽层紧靠所述金属下极板。
12.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述功能器件上形成屏蔽层的同时，在所述屏蔽层的同层形成金属互连线，所述屏蔽层与位于同层的金属互连线断开。
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