[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

电容、电阻等被动元件（Passive Circuit Element）被广泛应用于集成电路制作技术中，这些器件通常采用标准的集成电路工艺，利用掺杂单晶硅、掺杂多晶硅以及氧化膜或氮氧化膜等制成，比如多晶硅-介质膜-多晶硅（PIP，Poly-Insulator-Poly）电容。由于这些器件比较接近硅衬底，器件与衬底间的寄生电容使得器件的性能受到影响，尤其在射频（RF）CMOS电路中，随着频率的上升，器件的性能下降很快。

金属-绝缘体-金属（MIM，Metal-Insulator-Metal）电容技术的开发为解决这一问题提供了有效的途径，该技术将电容制作在互连层，即后道工艺（BEOL，Back End Of Line）中，既与集成电路工艺相兼容，又通过拉远被动元件与导电衬底间的距离，克服了寄生电容大、器件性能随频率增大而明显下降的弊端，使得该技术逐渐成为了集成电路中制作被动元件电容的主流。

但是，在带有MIM电容器的半导体器件中，也存在一些问题，主要是如果MIM电容器下面直接放功能器件（例如晶体管），则MIM电容器会与下面的功能器件产生相互干扰。现有技术中针对带有MIM电容器的半导体器件主要有两种实现方式：

1、MIM电容器下面不放功能器件，从而可彻底避免MIM电容器与功能器件产生相互干扰，但是此种实现方式将极大的浪费晶圆面积；

2、MIM电容器下面放一些不太敏感的功能器件，从而能够节省一部分晶圆面积，但是此种实现方式还是会使得MIM电容器与其下的功能器件产生相互干扰（只是这种干扰对于其下的功能器件尚且能够被容忍），并且也限制了可放置于MIM电容器下的功能器件的种类（即只能是一些不太敏感的功能器件）。

因此，如何提供一种带有MIM电容器的半导体器件，其能够避免上述缺陷，成了本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，以解决现有的带有MIM电容器的半导体器件浪费晶圆面积或者限制了可放置于MIM电容器下的功能器件的种类的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的功能器件；形成于所述功能器件上的MIM电容器；其中，在所述功能器件和所述MIM电容器之间形成有一屏蔽层。

可选的，在所述的半导体器件中，所述屏蔽层为接地的金属层。

可选的，在所述的半导体器件中，所述屏蔽层为接地的铜金属层或者接地的铝金属层。

可选的，在所述的半导体器件中，所述屏蔽层在所述半导体衬底上的投影笼罩所述MIM电容器在所述半导体衬底上的投影。

可选的，在所述的半导体器件中，所述MIM电容器包括金属下极板、位于金属下极板上的绝缘层、及位于绝缘层上的金属上极板，所述屏蔽层紧靠所述金属下极板。

可选的，在所述的半导体器件中，还包括与所述屏蔽层位于同层的金属互连线，所述屏蔽层与位于同层的金属互连线断开。

本发明还提供一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成功能器件；

在所述功能器件上形成屏蔽层；

在所述屏蔽层上形成MIM电容器。

可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述屏蔽层为接地的金属层。

可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述屏蔽层为接地的铜金属层或者接地的铝金属层。

可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述屏蔽层在所述半导体衬底上的投影笼罩所述MIM电容器在所述半导体衬底上的投影。

可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述MIM电容器包括金属下极板、位于金属下极板上的绝缘层、及位于绝缘层上的金属上极板，所述屏蔽层紧靠所述金属下极板。

可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，在所述功能器件上形成屏蔽层的同时，在所述屏蔽层的同层形成金属互连线，所述屏蔽层与位于同层的金属互连线断开。

在本发明提供的半导体器件及其制造方法中，通过在功能器件和MIM电容器之间形成一屏蔽层，隔离所述功能器件与所述MIM电容器之间的相互干扰，由此既能够避免晶圆面积的浪费又能够使得可放置于MIM电容器下的功能器件不受限制。

附图说明

图1是本发明实施例的半导体器件的结构示意图；