[发明专利]集成无源器件的结构及制造方法有效
| 申请号： | 201310407947.X | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104425463B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 包小燕;董天化;唐丽贤;朱赛亚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L21/02;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 无源 器件 结构 制造 方法 | ||
1.一种集成无源器件的制造方法，包括步骤：
提供无源器件，所述无源器件包括多个电感和层间介质层，所述层间介质层隔离所述电感，所述无源器件表面暴露出所述层间介质层和电感的表面，所述无源器件还包括形成于所述层间介质层内的电容；
在所述层间介质层和电感的表面形成压焊层；
刻蚀所述压焊层，形成电感加厚层、再分配层和焊盘层，所述电感加厚层、再分配层和焊盘层位于所述电感的表面，暴露出所述层间介质层的表面，所述焊盘层用于引出所述电容；
在所述层间介质层、电感加厚层、再分配层和焊盘层的表面形成钝化层；
刻蚀所述钝化层，暴露出所述焊盘层。
2.如权利要求1所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，所述压焊层的材质为铝。
3.如权利要求2所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，所述压焊层的厚度范围是1000埃～1500埃。
4.如权利要求1所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，所述无源器件还包括衬底和缓冲层，所述缓冲层形成于所述衬底的表面，所述层间介质层和电感均形成于所述缓冲层的表面。
5.如权利要求4所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，所述衬底的材质为高阻值的硅衬底。
6.如权利要求4所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，所述缓冲层的材质为氧化硅。
7.如权利要求1所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，所述电感的材质为铜或铝。
8.如权利要求1所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，所述电感的厚度范围是80000埃～100000埃。
9.如权利要求1所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，所述层间介质层的材质为氧化硅。
10.如权利要求1所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，所述钝化层的材质为氧化硅和氮化硅。
11.一种集成无源器件的结构，采用如权利要求1至10中任意一种方法形成，所述结构包括：
无源器件，所述无源器件内设有多个电感、电容和层间介质层，所述层间介质层隔离所述电感；形成于所述电感表面的电感加厚层、再分配层和焊盘层，形成于所述层间介质层、电感加厚层、再分配层和焊盘层表面的钝化层，所述钝化层暴露出所述焊盘层，所述焊盘层用于引出所述电容。
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