[发明专利]半导体封装件及其制造方法有效
申请号: | 201310409372.5 | 申请日: | 2013-09-09 |
公开(公告)号: | CN104425425B | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 杨俊洋 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/60;H01L21/56 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装件,其特征在于,包括:
一封装体,具有一外侧面及相对的一上表面与一下表面;
一芯片,受到该封装体包覆且具有一主动面,该主动面从该封装体的该下表面露出;
一第一导电架,包括相连接的一直立部及一横向部,该直立部从该封装体的该上表面延伸至该封装体的该下表面,该横向部从该直立部横向地延伸至该封装体的该外侧面并具有一外侧面及一下表面,该横向部的该外侧面从该封装体的该外侧面露出,而该横向部的该下表面从该封装体的该下表面露出;
一第二导电架,与该第一导电架隔离且具有一下表面,该第二导电架的该下表面从该封装体的该下表面露出;以及
一第一线路层,横向地延伸于该第二导电架的该下表面与该芯片的该主动面之间,以电性连接该第二导电架与该芯片,一第一保护层覆盖该第一线路层且具有数个第一开孔,其中该数个第一开孔露出该第一导电架的该下表面和该第二导电架的该下表面。
2.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该直立部具有一下表面,该半导体封装件更包括:
一较大电性接点,形成于该横向部的该下表面与该直立部的该下表面上;以及
一较小电性接点,形成于该第二导电架的该下表面与该芯片的该主动面的一者。
3.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该横向部的该外侧面与该封装体的该外侧面对齐。
4.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,更包括:
一被动元件,设于该横向部的上表面上并受到该封装体的包覆。
5.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该芯片具有一相对该主动面的背面,该直立部与该第二导电架各具有一上表面,该芯片的该背面、该直立部的该上表面、该第二导电架的该上表面与该封装体的该上表面对齐。
6.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该直立部具有一外侧面,该横向部具有一上表面,该封装体包覆该直立部的该外侧面与该横向部的该上表面。
7.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该芯片具有相对该主动面的一背面,且该背面从该封装体的该上表面露出,更包括:
一第二线路层,横向地延伸于该直立部的上表面、该芯片的该背面与该第二导电架的上表面之间,以电性连接该第一导电架与该第二导电架。
8.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该芯片更具有相对该主动面的一背面,该半导体封装件更包括:
一第二保护层,形成于该芯片的该背面上。
9.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,更包括:
一第二线路层,横向地延伸于该直立部的上表面与该第二导电架的上表面之间,以电性连接该第一导电架与该第二导电架。
10.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该封装体具有一凹陷部,该凹陷部位于该第一导电架与该第二导电架之间。
11.一种半导体封装件的制造方法,其特征在于,包括:
设置一主导电架于一载板上,该主导电架包括一第一导电架、一连接部与一第二导电架,该连接部连接该第一导电架与该第二导电架,该第一导电架包括相连接的一横向部及一直立部,该横向部具有一下表面,该横向部以该下表面设于该载板上;
设置一芯片于该载板上,该芯片具有一主动面,该芯片以该主动面设于该载板上;
形成一封装体包覆该芯片及该主导电架,其中该连接部的一上表面是被该封装体包覆;
移除该连接部与部分的该封装体,以分离该第一导电架与该第二导电架;
移除该载板,以露出该横向部的一下表面、该第二导电架的一下表面及该封装体的一下表面;
形成一第一线路层延伸于该第二导电架的该下表面与该芯片的该主动面之间,以电性连接该第二导电架与该芯片;以及
形成一切割道经过该封装体及该横向部,使该封装体与该横向部各形成一外侧面,其中该横向部的该外侧面从该封装体的该外侧面露出。
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