[发明专利]适用于低电压寄存器堆的写加强的抗读位线漏电存储单元

权利要求书

1. 一种适用于低电压寄存器堆的写加强的抗读位线漏电存储单元，其特征在于包括：

第一反相器和第二反相器，所述的第一反相器和第二反相器交叉耦合，通过正反馈来存储真值，具有真存储节点和互补存储节点；在所述的第一反相器和第二反相器的下拉路径上分别插入有一个写打断晶体管，并通过写打断信号来控制这两个写打断晶体管的开关，从而控制两个反相器之间的反馈的开启与关断；

第一写晶体管，其源极连接在真存储节点上，漏极连接在第一写位线上，栅极连接在写字线上；

第二写晶体管，其源极连接在互补存储节点上，漏极连接在第二写位线上，栅极连接在写字线上；

第一读隔离管，其源极连接在读字线上，漏极连接在第一伪存储节点上，栅极连接在真存储节点上；

第二读隔离管，其源极连接在地线上，漏极连接在第一伪存储节点上，栅极连接在真存储节点上；

第一读晶体管，其源极连接在第二伪存储节点上，漏极连接在读位线上，栅极连接在第一伪存储节点上；

第二读晶体管，其源极连接在地线上，漏极连接在第二伪存储节点上，栅极连接在读字线上。

2. 根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于：在进行写操作时，通过写打断信号来保持插入的两个写打断晶体管处于关断状态。

3. 根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于：在进行读操作时，通过写打断信号保持两个写打断晶体管处于开启状态。

4. 根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于：在进行数据保持时，通过写打断信号保持两个写打断晶体管处于开启状态。

5. 根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于：第二读晶体管由一行存储单元共享。