[发明专利]一种显示面板及其制造方法、显示装置无效
申请号: | 201310411215.8 | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN103474450A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 杨栋芳;皇甫鲁江 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的电致发光显示结构,所述电致发光显示结构包括第一电极层、第二电极层以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的有机发光层,所述第一电极层位于靠近所述衬底基板的一侧,其特征在于,还包括:
位于所述电致发光显示结构一侧的用于吸收光线的光学功能层;
其中,所述第一电极层和所述第二电极层均为透明电极层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光学功能层位于所述衬底基板与所述第一电极层之间;或,
所述光学功能层位于所述电致发光显示结构的显示侧。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,当所述光学功能层位于所述电致发光显示结构的显示侧时,所述显示装置还包括:位于所述第二电极层与所述光学功能层之间的,用于提高所述显示面板出光率的光耦合层。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,当所述光学功能层位于所述衬底基板与所述第一电极层之间时,所述显示装置还包括:位于所述第一电极层和所述光学功能层之间的绝缘层。
5.根据权利要求1-4任一所述的显示面板,其特征在于,所述光学功能层的吸收光谱范围为380-780nm。
6.根据权利要求1-4任一所述的显示面板,其特征在于,
所述第一电极层为阳极,所述第二电极层为阴极;或,
所述第一电极层为阴极,所述第二电极层为阳极。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一所述的显示面板。
8.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底基板的表面形成用于吸收光线的光学功能层;
在形成有所述光学功能层的基板表面依次形成第一电极层、有机发光层以及第二电极层;
其中,所述第一电极层和所述第二电极层均为透明电极层。
9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,在衬底基板的表面形成用于吸收光线的光学功能层之后,所述方法还包括:
在所述光学功能层的表面形成绝缘层。
10.根据权利要求8或9所述的制造方法,其特征在于,所述光学功能层的吸收光谱范围为380-780nm。
11.根据权利要求8或9所述的制造方法,其特征在于,
所述第一电极层为阳极,所述第二电极层为阴极;或,
所述第一电极层为阴极,所述第二电极层为阳极。
12.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底基板的表面依次形成第一电极层、有机发光层以及第二电极层;
在形成第二电极层的基板表面形成用于吸收光线的光学功能层;
其中,所述第一电极层和所述第二电极层均为透明电极层。
13.根据权利要求12所述的制造方法,其特征在于,在形成上述结构的基板表面形成用于吸收光线的光学功能层之前,所述方法还包括:
在形成所述第二电极层的基板表面形成用于提高所述显示面板出光率的光耦合层。
14.根据权利要求12或13所述的制造方法,其特征在于,所述光学功能层的吸收光谱范围为380-780nm。
15.根据权利要求12或13所述的制造方法,其特征在于,
所述第一电极层为阳极,所述第二电极层为阴极;或,
所述第一电极层为阴极,所述第二电极层为阳极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的