[发明专利]一种显示面板及其制造方法、显示装置无效
申请号: | 201310411215.8 | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN103474450A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 杨栋芳;皇甫鲁江 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制造 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
对于现有的显示装置而言,有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)作为一种电流型发光器件,因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。并且随着显示技术的不断发展,对OLED显示器的显示性能的要求也越来越高。对比度是评价显示性能优良的参数之一,对比度越高,显示装置还原的画面层次感就越好,图像的锐利程度就越高,图像也就越清晰。
现有的OLED显示器的典型结构如图1所示,包括:衬底基板10以及依次位于衬底基板表面的第一电极层11、有机发光层12、第二电极层13。OLED显示器通过第一电极层11和第二电极层13向有机发光层12提供电流,有机发光层中的载流子注入有机发光材料,并在该有机发光材料中进行迁移、复合并衰减从而使得OLED显示器发光。
然而,OLED显示器的第一电极层11通常是采用不透光的高反射金属制作而成的。因此,由显示侧表面射入OLED显示器的环境光会在第一电极层11以及衬底基板10的表面发生反射,当环境光的反射光20进入人眼时会干扰人眼接收到的显示画面,从而降低显示器的对比度,影响显示器的显示效果,降低产品质量。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板及其制造方法、显示装置,可以避免环境光对显示器显示性能的影响,提高显示器件的对比度,提升显示效果和产品质量。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明的实施例提供一种显示面板,包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的电致发光显示结构,所述电致发光显示结构包括第一电极层、第二电极层以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的有机发光层,所述第一电极层位于靠近所述衬底基板的一侧,还包括:
位于所述电致发光显示结构一侧的用于吸收光线的光学功能层;
其中,所述第一电极层和所述第二电极层均为透明电极层。
本发明实施例的另一方面提供一种显示装置,包括如上所述的任意一种显示面板。
本发明实施例的又一方面提供一种显示面板的制造方法,包括:
在衬底基板的表面形成用于吸收光线的光学功能层;
在形成有所述光学功能层的基板表面依次形成第一电极层、有机发光层以及第二电极层;
其中,所述第一电极层和所述第二电极层均为透明电极层。
本发明实施例的又一方面提供另一种显示面板的制造方法,包括:
在衬底基板的表面依次形成第一电极层、有机发光层以及第二电极层;
在形成第二电极层的基板表面形成用于吸收光线的光学功能层。
其中,所述第一电极层和所述第二电极层均为透明电极层。
本发明实施例提供一种显示面板及其制造方法、显示装置,该显示面板包括衬底基板以及位于衬底基板一侧的电致发光显示结构,该电致发光显示结构包括透明的第一电极层、第二电极层以及位于第一电极层和第二电极层之间的有机发光层,第一电极层位于靠近衬底基板的一侧,通过在位于电致发光显示结构的一侧设置光学功能层,该光学功能层可以对环境光进行吸收,这样一来,可以避免射入显示装置的环境光通过该显示装置的反射进入人眼,对人眼接收到的显示画面产生干扰,造成显示性能的下降,从而有效提高显示器的对比度,提升显示效果和产品质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种显示面板的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种有机薄膜层的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的两种显示面板的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。
附图标记:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310411215.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多塔式乏风瓦斯变温吸附浓缩装置
- 下一篇:一种户外灯具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的