[发明专利]一种阻抗匹配方法有效

申请号：	201310412111.9	申请日：	2013-09-11
公开（公告）号：	CN104425208B	公开（公告）日：	2018-01-19
发明（设计）人：	韦刚;李兴存;宋铭明	申请（专利权）人：	北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号：	H01L21/00	分类号：	H01L21/00;H05H1/46
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司11112	代理人：	彭瑞欣,张天舒
地址：	100176 北***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	一种阻抗匹配方法
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【权利要求书】：

1.一种阻抗匹配方法，用于在交替循环的刻蚀和沉积中使得射频电源的阻抗和匹配网络与反应腔的阻抗匹配，其特征在于，所述阻抗匹配方法包括：

S1、在前N个刻蚀步骤中，调节所述匹配网络，使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配，并获取所述匹配网络的刻蚀步骤阻抗值，以及在前N个沉积步骤中，调节所述匹配网络，使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配，并获取所述匹配网络的沉积步骤阻抗值；

S2、在第N+1个以及后续的刻蚀步骤中，设定所述匹配网络的阻抗值为所述刻蚀步骤阻抗值，在第N+1个以及后续的沉积步骤中，设定所述匹配网络的阻抗值为所述沉积步骤阻抗值，并在第N+1个以及后续的刻蚀步骤和第N+1个以及后续的沉积步骤中，调节所述射频电源的频率，以使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配；

其中，N为预先设定的正整数；

N大于1时，所述S1中获取的所述匹配网络的刻蚀步骤阻抗值为：前N个刻蚀步骤中每个刻蚀步骤调节所述匹配网络后得到的所述匹配网络的阻抗值的平均值；所述S1中获取的所述匹配网络的沉积步骤阻抗值为：前N个沉积步骤中每个沉积步骤调节所述匹配网络后得到的所述匹配网络的阻抗值的平均值。

2.根据权利要求1所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述射频电源为扫频电源。

3.根据权利要求1所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述匹配网络包括阻抗传感器，所述阻抗传感器能够获取所述匹配网络和所述反应腔的阻抗值；

所述S1中根据所述阻抗传感器所获取的所述匹配网络和所述反应腔的阻抗值，调节所述匹配网络。

4.根据权利要求1所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述匹配网络包括阻抗可调元件，

所述调节所述匹配网络包括：调节所述阻抗可调元件的参数值。

5.根据权利要求4所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述S1中获取所述匹配网络的刻蚀步骤阻抗值，包括：获取所述阻抗可调元件的刻蚀步骤参数值；

所述S1中所述获取所述匹配网络的沉积步骤阻抗值，包括：获取所述阻抗可调元件的沉积步骤参数值。

6.根据权利要求5所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述S2中设定所述匹配网络的阻抗值为所述刻蚀步骤阻抗值包括：设定所述阻抗可调元件的参数值为所述刻蚀步骤参数值；

所述S2中设定所述匹配网络的阻抗值为所述沉积步骤阻抗值包括：设定所述阻抗可调元件的参数值为所述沉积步骤参数值。

7.根据权利要求4所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述阻抗可调元件为电容和/或电感。