[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第1元件，其是由氮化物系化合物半导体构成的常导通型的晶体管；

第2元件，其与所述第1元件串联连接，是源极-漏极间的耐压低于所述第1元件的晶体管；

第1二极管，其在所述第1元件或所述第2元件的栅极与所述第1元件的漏极之间按照阴极与所述漏极侧连接的方式进行连接，并且具有规定的雪崩耐压；和

第1电阻，其与连接了所述第1二极管的所述栅极连接，

所述第1二极管的雪崩耐压低于所述第1元件的破坏电压。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1二极管与所述第1元件的栅极连接，所述第1电阻与所述第1元件的栅极、和所述第2元件的源极连接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备：

第2二极管，其在所述第2元件的栅极与漏极之间按照阴极与所述漏极侧连接的方式进行连接，并且具有规定的雪崩耐压；和

第2电阻，其与所述第2元件的栅极、和与该半导体装置的外部连接的栅极端子连接。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2二极管的雪崩耐压低于所述第2元件的雪崩耐压。

5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2二极管单片式地形成在包含所述第2元件的芯片上。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1二极管与所述第2元件的栅极连接，所述第1电阻与所述第2元件的栅极、和与该半导体装置的外部连接的栅极端子连接。

7.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第1元件，其是由氮化物系化合物半导体构成的常导通型的晶体管；

第2元件，其与所述第1元件串联连接，是阳极-阴极间的耐压低于所述第1元件的二极管；

第1二极管，其在所述第1元件的栅极与所述第1元件的漏极之间按照阴极与所述漏极侧连接的方式进行连接，并且具有规定的雪崩耐压；和

第1电阻，其连接在所述第1元件的栅极与所述第2元件的阳极之间，

所述第1二极管的雪崩耐压低于所述第1元件的破坏电压。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1二极管的雪崩耐压低于所述第1元件的崩塌增大电压。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1二极管单片式地形成在包含所述第1元件的芯片上。