[发明专利]半导体存储系统

权利要求书

1.一种半导体存储系统，包括：

半导体存储器，所述半导体存储器被配置成：将多个刷新特性信息提供给外部电路，以及响应于多个自动刷新命令来执行自动刷新操作；以及

存储器控制器，所述存储器控制器被配置成：将根据所述多个刷新特性信息而产生的所述多个自动刷新命令提供给所述半导体存储器。

2.如权利要求1所述的半导体存储系统，其中，所述半导体存储器包括：

多个通道，所述多个通道被配置成：将所述多个刷新特性信息提供给所述存储器控制器、响应于所述多个自动刷新命令来执行所述自动刷新操作、以及响应于多个自我刷新周期信号而执行自我刷新操作；以及

自我刷新周期控制单元，所述自我刷新周期控制单元被配置成：根据内部设定信息来产生具有独立周期的所述多个自我刷新周期信号。

3.如权利要求2所述的半导体存储系统，其中，所述多个刷新特性信息在所述通道的测试过程中确定。

4.如权利要求2所述的半导体存储系统，其中，所述通道中的每个包括：

核心块，所述核心块包括存储区和输入/输出电路；以及

外围电路块，所述外围电路块被配置成：将所述多个刷新特性信息中的一个提供给所述存储器控制器、响应于所述多个自动刷新命令中的一个来执行所述自动刷新操作、以及响应于所述多个自我刷新周期信号中的一个来执行所述自我刷新操作。

5.如权利要求2所述的半导体存储系统，其中，所述自我刷新周期控制单元包括：

振荡器，所述振荡器被配置成产生振荡信号；

初步周期信号发生部，所述初步周期信号发生部被配置成响应于所述振荡信号而产生多个初步周期信号；以及

多个周期信号发生部，所述多个周期信号发生部被配置成：根据所述内部设定信息来选择所述多个初步周期信号中的一个，以及输出所述多个自我刷新周期信号。

6.如权利要求5所述的半导体存储系统，其中，所述多个周期信号发生部中的每个包括：

熔丝块，所述熔丝块被配置成输出熔丝信号作为所述内部设定信息；

译码块，所述译码块被配置成：将所述熔丝信号译码以及产生多个使能信号；以及

选择部分，所述选择部分被配置成：响应于所述多个使能信号来选择所述多个初步周期信号中的一个，以及输出所述多个自我刷新周期信号中的一个。

7.如权利要求1所述的半导体存储系统，其中，所述多个刷新特性信息用作所述内部设定信息。

8.如权利要求1所述的半导体存储系统，其中，所述存储器控制器被配置成根据所述多个刷新特性信息来独立地设定所述多个自动刷新命令的周期。

9.一种半导体存储系统，包括：

半导体存储器，所述半导体存储器被配置成：根据相应通道的刷新特性而将多个刷新特性信息提供给外部电路、响应于多个自动刷新命令而执行用于相应通道的自动刷新操作、以及停止与多个自我刷新停止命令相对应的通道的自我刷新操作；以及

存储器控制器，所述存储器控制器被配置成：将所述多个自动刷新命令和所述多个自我刷新停止命令提供给所述半导体存储器。

10.如权利要求9所述的半导体存储系统，其中，所述半导体存储器包括：

多个通道，所述多个通道被配置成：将所述多个刷新特性信息提供给所述存储器控制器、响应于所述多个自动刷新命令来执行所述自动刷新操作、以及响应于多个自我刷新周期信号而执行自我刷新操作；以及

自我刷新周期控制单元，所述自我刷新周期控制单元被配置成：根据内部设定信息来产生具有独立周期的所述多个自我刷新周期信号，以及响应于所述多个自我刷新停止命令来选择性地去激活所述多个自我刷新周期信号。