[发明专利]半导体存储系统

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年2月20日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0018041的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各种实施例涉及一种半导体电路，更具体而言，涉及一种半导体存储系统。

背景技术

图1是说明根据已知技术的半导体存储器1的配置的框图。

根据已知技术的半导体存储器具有多个独立操作的通道。

即，如图1中所示，根据已知技术的半导体存储器1包括多个通道CHANNEL A至CHANNEL D。

所述多个通道CHANNEL A至CHANNEL D中的每个包括外围电路块。

在易失性半导体存储器的情况下，除非执行刷新操作，否则信息最终会消失。因此，诸如动态随机存取存储器（DRAM）的半导体存储器应当执行刷新操作。

因此，根据已知技术的半导体存储器1包括用于确定刷新操作周期、即自我刷新操作周期的刷新周期信号发生块。

所述多个通道CHANNEL A至CHANNEL D共用刷新周期信号发生块中产生的刷新周期信号SPERIOD，并且响应于刷新周期信号SPERIOD而执行刷新操作。

因为所述多个通道CHANNEL A至CHANNEL D共用刷新周期信号SPERIOD，所以所述多个通道CHANNEL A至CHANNEL D的刷新周期是基于在测试过程（例如，晶圆测试）中判断出的具有最差刷新特性的通道来确定的。

与刷新特性好的通道相比，刷新特性差的通道需要频繁地执行刷新操作。

因此，根据已知技术，由于刷新特性好的通道也利用与刷新特性差的通道大体相同的周期来执行刷新操作，产生了不必要的电流消耗，导致半导体存储器的整体电流消耗增加。

发明内容

本文描述了一种能够减小电流消耗的半导体存储系统。

在本发明的一个实施例中，一种半导体存储系统包括：半导体存储器，所述半导体存储器被配置成：将多个刷新特性信息提供给外部，以及响应于多个自动刷新命令来执行自动刷新操作；以及存储器控制器，所述存储器控制器被配置成：将根据多个刷新特性信息而产生的多个自动刷新命令提供给半导体存储器。

存储器控制器可以被配置成根据多个刷新特性信息来独立地设定多个自动刷新命令的周期。

在本发明的一个实施例中，一种半导体存储系统包括：半导体存储器，所述半导体存储器被配置成：根据相应通道的刷新特性而将多个刷新特性信息提供给外部、响应于多个自动刷新命令而执行用于相应通道的自动刷新操作、以及停止与多个自我刷新停止命令相对应的通道的自我刷新操作；以及存储器控制器，所述存储器控制器被配置成将多个自动刷新命令和多个自我刷新停止命令提供给半导体存储器。

存储器控制器可以被配置成根据通道使用信息来选择性地激活多个自动刷新命令和多个自我刷新停止命令。

本技术的半导体存储系统能够减小电流消耗。

在一个实施例中，一种半导体存储系统包括：自我刷新周期控制单元，所述自我刷周期控制单元被配置成根据内部设定信息而产生多个自我刷新周期信号，每个自我刷新周期信号具有独立的周期；以及多个半导体存储器单元区，所述多个半导体存储器单元区被配置成具有彼此不同的刷新特性，并且每个半导体存储器单元区响应于多个自我刷新周期信号中的一个而执行自我刷新操作。

在一个实施例中，一种存储系统包括：存储器控制器，所述存储器控制器被配置成根据多个刷新特性信息而产生多个自动刷新命令；以及半导体存储器，所述半导体存储器被配置成：根据相应通道的刷新特性而将多个刷新特性信息提供给外部电路，以及响应于多个自动刷新命令而执行用于相应通道的自动刷新操作。

在一个实施例中，一种电子设备包括：半导体存储系统，所述半导体存储系统与中央处理单元通信地耦接；所述半导体存储系统包括：存储器控制器，所述存储器控制器被配置成根据多个刷新特性信息来产生多个自动刷新命令；以及半导体存储器，所述半导体存储器被配置成：根据相应通道的刷新特性而将多个刷新特性信息提供给外部电路，以及响应于多个自动刷新命令而执行用于相应通道的自动刷新操作。

附图说明

结合附图来描述本发明的特点、方面和实施例，其中：

图1是说明根据已知技术的半导体存储器1的配置的框图；

图2是说明根据本发明的一个实施例的半导体存储系统100的配置的框图；

图3是说明根据本发明的一个实施例的图2中的半导体存储器300的配置的框图；