[发明专利]嵌入式封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种嵌入式封装结构，包含：

一金属基板，具有一第一表面及一第二表面；

一芯片模块，位于该金属基板的该第一表面上，包含至少二芯片，所述芯片相互堆叠且彼此电连接；

一绝缘材料层，覆盖该金属基板的该第一表面及该芯片模块，且具有一内连线结构形成于其中；以及

至少一图案化金属层，设置于该绝缘材料层上，通过该内连线结构电连接于该芯片模块。

2.如权利要求1所述的嵌入式封装结构，其中该嵌入式封装结构还包含另一芯片模块，其位于该金属基板的该第一表面上。

3.如权利要求1所述的嵌入式封装结构，其中所述芯片中的至少一个芯片包含有垂直型晶体管或横向型晶体管。

4.如权利要求1所述的嵌入式封装结构，其中该嵌入式封装结构还包含一黏着层或一焊锡，其设置于所述芯片之间。

5.如权利要求1所述的嵌入式封装结构，其中所述芯片通过一导电层彼此电性连接。

6.如权利要求1所述的嵌入式封装结构，其中该绝缘材料层的材料包含ABF绝缘膜、双马来酰亚胺-三嗪树脂、聚酰亚胺或玻璃环氧树脂。

7.如权利要求1所述的嵌入式封装结构，其中该图案化金属层的材料选自由下列所组成的群组：铜、钛、铂、铝、镍、钨、金、锌、锡、锗及其组合。

8.如权利要求1所述的嵌入式封装结构，其中该嵌入式封装结构还包含一第一保护层，其覆盖该图案化金属层。

9.如权利要求8所述的嵌入式封装结构，其中该嵌入式封装结构还包含一第二保护层，其覆盖该金属基板的该第二表面。

10.一种制造嵌入式封装结构的方法，包含:

提供一金属基板，具有一第一表面及一第二表面；

形成一芯片模块于该金属基板的该第一表面，其中该芯片模块包含彼此电性连接且相互堆叠的至少二芯片；

形成一绝缘材料层，覆盖该金属基板的该第一表面及该芯片模块；

形成多个导电通孔，穿透该绝缘材料层；以及

形成至少一图案化金属层于该绝缘材料层上，其中所述导电通孔电性连接于该芯片模块及该图案化金属层。

11.如权利要求10所述的方法，其中该金属基板的材料为铜或铜合金。

12.如权利要求10所述的方法，其中该方法还包含形成一黏着剂或一焊锡于所述芯片之间。

13.如权利要求10所述的方法，其中该绝缘材料层的材料包含ABF绝缘膜、双马来酰亚胺-三嗪树脂、聚酰亚胺或玻璃环氧树脂。

14.如权利要求10所述的方法，其中形成所述导电通孔的方法包含利用激光钻孔法、干蚀刻法或湿蚀刻法形成多个导电通孔的孔洞。

15.如权利要求10所述的方法，其中形成该图案化金属层的方法包含金属化制程及蚀刻制程。

16.如权利要求15所述的方法，其中该金属化制程包含物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积或金属有机化学气相沉积。

17.如权利要求15所述的方法，其中该蚀刻制程包含干蚀刻法或湿蚀刻法。

18.如权利要求10所述的方法，其中该方法还包含形成另一芯片模块位于该金属基板的该第一表面。

19.如权利要求10所述的方法，其中形成该芯片模块于该金属层的该第一表面的方法包含：

将一第一芯片装设于该金属层的该第一表面；以及

堆叠一第二芯片于该第一芯片上，其中该第二芯片电性连接于该第一芯片。

20.如权利要求10所述的方法，其中形成该芯片模块于该金属层的该第一表面的方法包含：

垂直整合一第一芯片与一第二芯片，以形成该芯片模块；以及

将该芯片模块装设于该金属基板的该第一表面。