[发明专利]嵌入式封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装结构及其制造方法，特别涉及一种嵌入式封装结构及其制造方法。

背景技术

图1绘示一种传统嵌入式封装结构100的剖面图，其单一芯片的嵌入式结构，且包含芯片110、金属层120、一绝缘材料层130及二保护层140。

如图1所示，芯片110、金属层120及绝缘材料层130夹置于保护层140之间。芯片110分别设置于绝缘材料层130内，且通过金属层120电性连接于其它芯片110。

由于大量的金属布线层连接于诸芯片之间，而在嵌入式封装结构中产生寄生效应，对于诸芯片造成损害。此外，因为存在大量的金属布线层，使得在单一芯片的嵌入式封装结构中的信号传递距离太长，以至于劣化信号的强度及质量。另一方面，其中具有众多芯片的传统嵌入式封装结构往往有较大的尺寸，而不利于微型装置的设计。

因此，目前亟需一种新颖的嵌入式封装结构及其制造方法，以解决传统嵌入式封装结构所产生的问题。

发明内容

本发明提供一种嵌入式封装结构及其制造方法，以解决现有技术的上述问题。

本发明的一形式为提供一种嵌入式封装结构。此嵌入式封装结构包含一金属基板、一芯片模块、一绝缘材料层及至少一图案化金属层。

金属基板具有一第一表面及一第二表面。

芯片模块位于金属基板的第一表面上，且包含至少二芯片，其中诸芯片彼此电性连接。

绝缘材料层覆盖于金属基板的第一表面及诸芯片上，且具有一内连线结构形成于其中。

图案化金属层设置于绝缘材料层上，且通过内连线结构电性连接于芯片模块。

根据本发明的一实施例，上述金属基板的材料为铜或铜合金。

根据本发明的一实施例，上述嵌入式封装结构更包含另一芯片模块位于金属基板的第一表面。

根据本发明的一实施例，至少一上述芯片系为垂直型或横向型。

根据本发明的一实施例，上述嵌入式封装结构更包含一黏着剂或一焊锡设置于诸芯片的间。

根据本发明的一实施例，上述芯片系通过一导电层彼此电性连接。

根据本发明的一实施例，上述绝缘材料层的材料包含ABF绝缘膜(Ajinomoto build-up film)、双马来酰亚胺-三嗪树脂(BT)、聚酰亚胺(PI)或玻璃环氧树脂(glass-epoxy resin)。

根据本发明的一实施例，上述图案化金属层的材料选自由下列所组成的群组：铜(Cu)、钛(Ti)、铂(Pt)、铝(Al)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、锌(Zn)、锡(Sn)、锗(Ge)及其组合。

根据本发明的一实施例，上述嵌入式封装结构更包含一第一保护层，其覆盖图案化金属层。

根据本发明的一实施例，上述嵌入式封装结构更包含一第二保护层，其覆盖金属基板的第二表面。

本发明的另一形式为提供一种制造嵌入式封装结构的方法。此方法包含提供一金属基板，其具有一第一表面及一第二表面；形成一芯片模块，其位于金属基板的第一表面上，其中芯片模块包含彼此电性连接的至少二芯片；形成一绝缘材料层，其包覆金属基板及诸芯片；形成多个导电通孔(via)，其穿透绝缘材料层；以及形成一图案化金属层于绝缘金属层上，其中诸导电通孔电性连接于芯片模块及图案化金属层。

根据本发明的一实施例，上述金属基板的材料为铜或铜合金。

根据本发明的一实施例，上述嵌入式封装结构更包含一黏着剂或一焊锡设置于诸芯片之间。

根据本发明的一实施例，上述绝缘材料层的材料包含ABF绝缘膜(Ajinomoto build-up film)、双马来酰亚胺-三嗪树脂(BT)、聚酰亚胺(PI)或玻璃环氧树脂(glass-epoxy resin)。

根据本发明的一实施例，上述形成诸导电通孔的方法包含激光钻孔法(laser drilling)、干蚀刻法(dry etching)或湿蚀刻法(wet etching)。

根据本发明的一实施例，上述形成图案化金属层的方法包含金属化制程(metallization)及蚀刻制程(etching process)。

根据本发明的一实施例，上述金属化制程包含物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)或金属有机化学气相沉积(MOCVD)。

根据本发明的一实施例，上述蚀刻制程包含干蚀刻法或湿蚀刻法。

根据本发明的一实施例，上述嵌入式封装结构更包含一第一保护层，其覆盖图案化金属层。