[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有具有开口的掩膜层，所述开口的宽度为第一尺寸；

以所述掩膜层为掩膜，对所述半导体衬底进行第一刻蚀，在所述半导体衬底内形成第一凹槽，所述第一刻蚀形成的第一凹槽具有倾斜侧壁，并且所述第一凹槽的顶部宽度为第二尺寸，所述第二尺寸大于第一凹槽的底部宽度以及所述第一尺寸；

沿所述第一凹槽对所述半导体衬底进行第二刻蚀，形成具有第二深度的第二凹槽，使所述第二凹槽的侧壁倾斜度低于所述第一凹槽的倾斜度；

在进行第二刻蚀之后，对半导体衬底进行第三刻蚀，直到形成预设深度的通孔，所述第三刻蚀工艺包括循环交替的刻蚀步骤和沉积步骤。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀采用干法刻蚀工艺。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀中，采用的刻蚀气体为SF₆、C₄F₈和O₂的混合气体。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀的刻蚀温度为-10℃～50℃，反应腔压强为20mTorr～200mTorr，源射频功率为1000W～5000W，偏置射频功率为0W～300W，SF₆与总刻蚀气体的流量比为0.5～2，C₄F₈与O₂的流量比为0.5～2，刻蚀时间为5s～20s。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，第一刻蚀中，SF₆的流量为200sccm～3000sccm，C₄F₈的流量为50sccm～1600sccm，O₂的流量为50sccm～2000sccm。

6.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀采用干法刻蚀工艺。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀的横向刻蚀速率小于第一刻蚀的横向刻蚀速率。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺采用的刻蚀气体为SF₆和O₂的混合气体。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺的刻蚀温度为-10℃～50℃，反应腔压强为20mTorr～200mTorr，源射频功率为1000W～5000W，偏置射频功率为0W～300W，SF₆与O₂的体积比为0.5～8，刻蚀时间为40s～200s。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，第二刻蚀中，所述SF₆的流量为200sccm～3000sccm，O₂的流量为50sccm～1000sccm。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三刻蚀的横向刻蚀速率小于第二刻蚀的横向刻蚀速率。

12.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三刻蚀中的的刻蚀步骤采用的刻蚀气体为SF₆，刻蚀温度为-10℃～50℃，反应腔压强为60mTorr～180mTorr，源射频功率为1000W～3000W，偏置射频功率为40W～200W，SF₆的流量为600sccm～2000sccm，单次刻蚀步骤的时间为1～10s。