[发明专利]基于电化学双极性行为提高微电极阵列电极密度的方法和电极构型在审
| 申请号： | 201310414626.2 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103489751A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 朱凤;颜佳伟;毛秉伟 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 电化学 极性 行为 提高 微电极 阵列 电极 密度 方法 构型 | ||
1.一种提高微电极阵列电极密度的方法，其特征在于：在凹微电极阵列的正上方引入一层平面金属膜，所述的金属膜覆盖凹微电极阵列的绝缘层，而裸露微电极。
2.一种可提高微电极阵列电极密度的电极构型，其特征在于：在凹微电极阵列的正上方引入一层平面金属膜，所述的金属膜覆盖绝缘层区域，而裸露微电极区域。
3.如权利要求2所述的电极构型，其特征在于：所述的凹微电极阵列包括一衬底、衬底上方为微电极阵列，微电极阵列上覆盖绝缘层。
4.如权利要求2所述的电极构型，其特征在于：所述的平面金属膜的厚度范围为100～300nm。
5.如权利要求2所述的电极构型，其特征在于：所述的衬底材料包括热氧化的晶片、以及玻璃。
6.如权利要求2所述的电极构型，其特征在于：所述的绝缘层包括无机氧化物膜、氮化物膜或有机高聚物膜。
7.如权利要求2所述的电极构型，其特征在于：所述的平面金属膜为适合做电化学电极材料的金属膜。
8.权利要求2所述的电极构型的制备方法，包括如下步骤：
(a)清洗衬底材料，衬底材料若为Si，则热氧化生长SiO2以绝缘Si；
(b)在衬底上生长一层金属膜后，通过光刻、腐蚀、去胶得到的第一层图形化的金属膜；或是在衬底上通过光刻、生长金属膜、剥离的方式得到图形化金属膜；
(c)通过物理或者化学的方式在(b)上附上绝缘材料；
(d)在绝缘材料上反转光刻在衬底上方得到光刻胶图形；
(e)在光刻胶图形上方生长第二层金属材料，经过剥离后得第二层图形化金属膜；
(f)干法刻蚀绝缘层；得到构型。
9.如权利要求8所述的电极构型的制备方法，其特征在于：
步骤(b)或(e)所述的生长包括磁控溅射或蒸镀。
10.如权利要求8所述的电极构型的制备方法，其特征在于：第二层金属材料设置为Al薄膜，在步骤(f)刻蚀结束后，将Al薄膜化学腐蚀液中腐蚀，可以得到普通的凹微电极阵列。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
