[发明专利]发光器件有效
申请号: | 201310418515.9 | 申请日: | 2013-09-13 |
公开(公告)号: | CN103682071B | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 尹汝赞;吴成株;郑在桓;金镇成;闵凤杰 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/60 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 田军锋;魏金霞 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
1.一种发光器件,包括:
本体;
具有第一结合部分和第二结合部分的第一引线电极,所述第一结合部分位于所述本体的顶表面上,所述第二结合部分从所述第一结合部分延伸;
具有第三结合部分和第四结合部分的第二引线电极,所述第三结合部分位于所述第一结合部分内部,所述第四结合部分与所述第二结合部分相对应;
间隙部分,所述间隙部分介于所述第一引线电极与所述第二引线电极之间;
第三引线电极,所述第三引线电极位于所述本体的底表面上;
第四引线电极,所述第四引线电极位于所述本体的所述底表面上;
第一连接电极,所述第一连接电极在所述本体中将所述第一引线电极连接至所述第三引线电极;
第二连接电极,所述第二连接电极在所述本体中将所述第二引线电极连接至所述第四引线电极;
发光芯片,所述发光芯片位于所述第一引线电极的所述第一结合部分和所述第二引线电极的所述第三结合部分上;
第一结合构件,所述第一结合构件设置在所述发光芯片、所述第一引线电极的所述第一结合部分以及所述第二引线电极的所述第三结合部分之间,
保护芯片,所述保护芯片介于所述第二结合部分与所述第四结合部分之间;
第二结合构件,所述第二结合构件设置在所述保护芯片与所述第二结合部分和所述第四结合部分之间;以及
第一树脂层(155,156),所述第一树脂层包括金属氧化物,所述第一树脂层位于所述发光芯片(151)周围,而不覆盖所述发光芯片(151)的顶表面,
其中,所述间隙部分包括设置在所述第一结合部分与所述第三结合部分之间的第一间隙部分,
所述第一间隙部分包括第一区域和第二区域、以及第三区域,所述第一区域和所述第二区域彼此间隔开与所述第三结合部分的宽度相对应的间隔并且彼此平行设置,所述第三区域连接至所述第一区域和所述第二区域并相对于所述第一区域和所述第二区域垂直设置,
其中,所述第一引线电极的所述第一结合部分设置在所述第二引线电极的所述第三结合部分周围,
其中,所述第一结合部分的内部设置有开放接收区域,
其中,所述第三结合部分设置到所述第一结合部分的所述开放接收区域;
其中,所述第一引线电极包括暴露于所述本体的第一侧面和第二侧面的多个支撑突出部,
其中,所述第一树脂层(155,156)的顶表面的高度低于所述发光芯片(151)的顶表面的高度,
其中,所述第一引线电极包括设置在与所述发光芯片的至少三个拐角相对应的区域中的第一凹入部分、第二凹入部分和第三凹入部分,
所述第一凹入部分、第二凹入部分和第三凹入部分具有与介于所述发光芯片的一个侧面与所述本体的邻近所述发光芯片的所述一个侧面的一个侧面之间的间隔相对应的深度,
其中,所述第一连接电极邻近所述发光芯片的一个边缘,并且与所述第一凹入部分、第二凹入部分和第三凹入部分间隔的距离大于所述发光芯片的一个侧面的长度,以及
其中,具有通孔结构的所述第一连接电极设置在与所述发光芯片的未设置有所述第一凹入部分、第二凹入部分和第三凹入部分的边缘邻近的区域。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中,延伸穿过所述本体的第三侧面和第四侧面的中心的线(C1)与所述发光芯片的中心和所述保护芯片的中心对准,以及
其中,所述第一结合部分和所述第三结合部分设置在所述线(C1)上。
3.根据权利要求2所述的发光器件,其中,所述间隙部分包括设置在所述第二结合部分与所述第四结合部分之间的第二间隙部分,
其中,所述第二间隙部分相对于所述第一区域和所述第二区域平行设置。
4.根据权利要求2或3所述的发光器件,其中,所述第一间隙部分包括相对于所述第三区域以钝角弯曲并设置在所述第一区域和所述第二区域中的至少一者与所述第三区域之间的区域。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件,其中,所述第一结合部分和所述第三结合部分的至少三个侧面在所述间隙部分的区域中彼此对应。
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