[发明专利]TFT及其制作方法、阵列基板及其制作方法、X射线探测器

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极、半导体层和栅绝缘层，其特征在于，所述源极和所述漏极位于所述半导体层的两侧，且所述源极和所述漏极与所述半导体层位于同一层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述源极和所述漏极连线的方向上，所述半导体层与所述栅极的宽度一致。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极位于所述半导体层的下方。

4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极位于所述半导体层的上方。

5.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

依次形成半导体层薄膜、钝化遮挡层薄膜；

通过一次构图工艺形成包括钝化遮挡层的图形，使所述半导体层薄膜中被所述钝化遮挡层遮挡的部分形成半导体层图形；

通过离子掺杂工艺使所述半导体层薄膜中未被所述钝化遮挡层遮挡的部分形成包括源极和漏极的图形，所述源极和漏极位于所述半导体层的两侧。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成包括钝化遮挡层的图形，使所述半导体层薄膜中被所述钝化遮挡层遮挡的部分形成半导体层图形具体为：

在所述钝化遮挡层薄膜上涂覆光刻胶；

通过曝光工艺形成包括完全未曝光区域、部分曝光区域和完全曝光区域的光刻胶图形；通过显影工艺去除所述完全曝光区域的所述光刻胶且保留所述完全未曝光区域和所述部分曝光区域的所述光刻胶；

通过刻蚀工艺去除所述完全曝光区域的所述钝化遮挡层薄膜和所述半导体层薄膜；

通过灰化工艺去除所述部分曝光区域的所述光刻胶，露出该区域内的所述钝化遮挡层薄膜；

通过刻蚀工艺去除所述部分曝光区域露出的所述钝化遮挡层薄膜，保留且露出该区域内的所述半导体层薄膜；

通过剥离工艺去除所述完全未曝光区域内的所述光刻胶，露出的所述钝化遮挡层薄膜形成所述钝化遮挡层。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述源极和所述漏极连线的方向上，所述半导体层与栅极的宽度一致。

8.根据权利要求5-7中任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：在基板上形成栅极金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅极的图形，在形成所述栅极的基板上形成栅极绝缘层薄膜。

9.根据权利要求5-7中任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：在制作有钝化遮挡层的基板上形成栅极绝缘层薄膜、栅极金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅极的图形。

10.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板、薄膜晶体管、钝化层、第一像素电极，所述薄膜晶体管中的源极和漏极位于半导体层的两侧，且所述源极和所述漏极与所述半导体层位于同一层，所述第一像素电极与所述漏极电连接。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，在所述源极和所述漏极连线的方向上，所述半导体层与栅极的宽度一致。

12.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，栅极位于所述半导体层的下方。

13.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，栅极位于所述半导体层的上方。

14.根据权利要求10-13中任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括光电二极管和第二像素电极，所述光电管二极管的一端与所述源极电连接，所述光电管二极管的另一端与所述第二像素电极电连接。

15.根据权利要求14所述的阵列基板，其特征在于，还包括光线遮挡板，所述光线遮挡板与所述栅极位于同一层，且所述光线遮挡板位于所述光电二极管的正下方。