[发明专利]TFT及其制作方法、阵列基板及其制作方法、X射线探测器

说明书

技术领域

本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种TFT及其制作方法、阵列基板及其制作方法、X射线探测器。

背景技术

X射线检测装置在测量医学、电子工业、宇航工业及其它领域均有广泛应用。X射线检测装置通过将X射线转化为可见光，光电二极管接收光并通过光伏效应将光信号转换为电信号，电信号通过薄膜晶体管的开关控制输入到X射线检测装置的控制电路中，从而实现检测功能。

例如就常见的X射线探测器而言，这是一种以非晶硅光电二极管阵列为核心的X射线探测器，包括阵列基板，该阵列基板中包括薄膜晶体管（TFT，Thin Flim Transistor）和光电二极管，在X射线的照射下，探测器的闪烁体层或荧光体层将X射线光子转换为可见光，然后在光电二极管的作用下将可见光转换为电信号，薄膜晶体管读取电信号并将电信号输出得到显示图像，其中，薄膜晶体管的关闭和导通可以分别控制电信号的储存和读取，因此薄膜晶体管的性能在该装置中尤为重要。

一般来说，薄膜晶体管的结构主要包括基板、栅极、源极、漏极、半导体层和栅绝缘层，其中，依次形成栅极、栅绝缘层、半导体层的图形，源极、漏极同时形成在半导体层上。为了避免定位不准导致源极和漏极与半导体层的连接不良，通常采取源极和漏极与半导体层进行搭接的方式。这导致源极、漏极与半导体层需要采用两次构图工艺制作，增加了构图工艺的数量；并且，在源极和漏极的连线方向上半导体层具有同样宽度时，栅极和源极、漏极之间正对面积比现有技术的大，导致栅极和源极、漏极之间的耦合电容比较大，从而影响薄膜晶体管的性能。

发明内容

本发明的实施例提供了一种TFT及其制作方法、阵列基板及其制作方法、X射线探测器，可以减少构图工艺的数量。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极、半导体层和栅绝缘层，其特征在于，所述源极和所述漏极位于所述半导体层的两侧，且所述源极和所述漏极与所述半导体层位于同一层。

进一步地，在所述源极和所述漏极连线的方向上，所述半导体层与所述栅极的宽度一致。

进一步地，栅极位于半导体层的下方。

进一步地，栅极位于半导体层的上方。

第二方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

依次形成栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜、钝化遮挡层薄膜；

通过一次构图工艺形成包括钝化遮挡层的图形，使所述半导体层薄膜中被所述钝化遮挡层遮挡的部分形成半导体层的图形；

通过离子掺杂工艺使所述半导体层薄膜中未被所述钝化遮挡层遮挡的部分形成包括源极和漏极的图形，所述源极和漏极位于所述半导体层的两侧。

其中，所述通过构图工艺形成包括钝化遮挡层的图形，使所述半导体层薄膜中被所述钝化遮挡层遮挡的部分形成半导体层的图形具体为：

在所述钝化遮挡层薄膜上涂覆光刻胶；

通过曝光工艺形成包括完全未曝光区域、部分曝光区域和完全曝光区域的光刻胶图形；通过显影工艺去除完全曝光区域的光刻胶且保留完全未曝光区域和部分曝光区域的光刻胶；

通过刻蚀工艺去除所述完全曝光区域的钝化遮挡层薄膜、半导体层薄膜；

通过灰化工艺去除所述部分曝光区域的光刻胶，露出该区域内的钝化遮挡层薄膜；

通过刻蚀工艺去除所述部分曝光区域露出的钝化遮挡层薄膜，保留且露出该区域内的半导体层薄膜；

通过剥离工艺去除所述完全未曝光区域内的光刻胶，露出的钝化遮挡层薄膜形成所述钝化遮挡层。

进一步地，在所述源极和所述漏极连线的方向上，所述半导体层与所述栅极的宽度一致。

进一步地，还包括：在基板上形成栅极金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅极的图形，在形成栅极的基板上形成栅极绝缘层薄膜。

进一步地，还包括：在制作有钝化遮挡层的基板上形成栅极绝缘层薄膜、栅极金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅极的图形。

第三方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板，包括：基板、薄膜晶体管、钝化层、第一像素电极，薄膜晶体管中的源极和漏极位于半导体层的两侧，且源极和漏极与半导体层位于同一层，第一像素电极与漏极电连接。

进一步地，在源极和漏极连线的方向上，半导体层与栅极的宽度一致。

进一步地，栅极位于半导体层的下方。

进一步地，栅极位于半导体层的上方。