[发明专利]一种多孔硅材料及其制备方法

权利要求书

1.一种多孔硅材料的制备方法，包括如下步骤：

1）在固体铜基催化剂作用下，硅与氯甲烷在401-800℃下加热反应，并控制硅不完全反应；

2）去除杂质并分离未反应的硅后，得到多孔硅材料，同时副产有机硅单体；

其中，固体铜基催化剂包含主催化剂CuO_x、CuCl、CuCl₂中的1种或2种以上的混合物，0≤x≤1，及少量助催化剂。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1）所述加热反应的温度为420-600℃。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤1）所述加热反应的时间为2-24h。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤1）所述加热反应的压力为0.1-1MPa。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤1）所述硅与固体铜基催化剂质量比为任意比，优选为1:2-5:1。

6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤1）所述原料硅为纳米级、微米级或毫米级的硅粉，优选为微米级硅粉。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤1）所述反应的反应器为固定床、搅拌床或流化床。

8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤2）所述去除杂质的方法为将所得多孔硅材料经煅烧、酸洗涤、碱洗涤、干燥处理。

9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述的助催化剂为锌、锡、磷、铜锌合金、铜硅合金中的1种或2种以上的混合物。

10.权利要求1-9任一项所述的制备方法制得的多孔硅材料，其特征在于，所述多孔硅材料的孔大小均一，孔结构分布均匀，孔尺寸为10nm-10μm。