[发明专利]一种发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：

生长衬底；

发光外延结构，至少包括N型层、量子阱层及P型层，所述发光外延结构具有去除了部分的P型层、量子阱层及N型层所形成的N电极焊盘制备区域及N电极引线制备区域；

电流扩展层，形成于所述P型层之上，其对应于P电极引线处具有间隔排列的多个开孔；

N电极，包括形成于所述N电极焊盘制备区域的N电极焊盘以及形成于所述N电极引线制备区域的N电极引线；

P电极，包括形成于所述电流扩展层表面的P电极焊盘、及形成于所述电流扩展层表面且填充于所述开孔的P电极引线；

透明绝缘结构，包括：结合于所述N电极焊盘及N电极焊盘制备区域之间的部分界面的第一绝缘层；呈多个绝缘层段结合于所述N电极引线及N电极引线制备区域之间的第二绝缘层；以及结合于所述P型层及电流扩展层之间、位于所述P电极下方、且形状与所述P电极对应的第三绝缘层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的平面形状为平行四边形，所述N电极焊盘与所述P电极焊盘分别位于该平行四边形的两个对角区域，所述N电极引线与所述P电极引线平行排列于该平行四边形的两个对边区域。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述多个开孔与所述多个绝缘层段相互平行且呈错位排列，且所述开孔与所述绝缘层段的平面形状和尺寸相同。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述N电极焊盘包覆或部分包覆于所述第一绝缘层，且所述第一绝缘层的面积小于或等于所述N电极焊盘面积的1/2。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明绝缘结构的材料为二氧化硅，厚度为60～920nm。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第三绝缘层的平面尺寸大于所述P电极的平面尺寸。

7.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括步骤：

1)提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；

2)去除了部分的P型层、量子阱层及N型层形成N电极焊盘制备区域及N电极引线制备区域；

3)于所述P型层表面、N电极焊盘制备区域表面及N电极引线区域表面沉积透明绝缘层，并采用干法刻蚀或湿法腐蚀工艺形成透明绝缘结构，包括结合于所述N电极焊盘制备区域表面的第一绝缘层、呈多个绝缘层段结合于所述N电极引线制备区域表面的第二绝缘层、以及结合于电流扩展层，且与P电极焊盘及P电极引线形状对应的第三绝缘层；

4)于所述P型层及第三绝缘层表面形成电流扩展层，并于与P电极引线对应的电流扩展层中刻蚀出间隔排列的多个开孔；

5)于所述N电极焊盘制备区域制作包覆或部分包覆于所述第一绝缘层的N电极焊盘，于所述N电极引线制备区域及第二绝缘层表面制作N电极引线，于所述电流扩展层表面且与所述第三绝缘层对应处制作P电极焊盘及P电极引线。

8.根据权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述发光二极管的平面形状为平行四边形，所述N电极焊盘与所述P电极焊盘分别位于该平行四边形的两个对角区域，所述N电极引线与所述P电极引线平行排列于该平行四边形的两个对边区域。

9.根据权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述多个开孔与所述多个绝缘层段相互平行且呈错位排列，且所述开孔与所述绝缘层段的平面形状和尺寸相同。

10.根据权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：采用等离子体增强化学气相沉积法沉积所述透明绝缘层，所述透明绝缘层的材料为二氧化硅，厚度为60～920nm。