[发明专利]光调制器的制造方法以及光调制器无效
申请号: | 201310427136.6 | 申请日: | 2013-09-18 |
公开(公告)号: | CN103682978A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 柴田公隆 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01S5/026 | 分类号: | H01S5/026;H01S5/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调制器 制造 方法 以及 | ||
1.一种光调制器的制造方法,其中所述光调制器具备激光二极管部以及电场吸收型调制部,所述光调制器的制造方法的特征在于,具备:
在半导体衬底上设置作为用于制造所述激光二极管部的半导体层的LD生长层的工序;
在所述半导体衬底上设置用于形成所述电场吸收型调制部的电场吸收层的工序;
测定所述电场吸收层的光致发光波长的测定工序;以及
蚀刻所述LD生长层而形成带构造部的带形成工序,
以所述激光二极管部的振荡波长与所述光致发光波长之差接近设计值的方式设计所述带构造部的宽度。
2.根据权利要求1所述的光调制器的制造方法,其特征在于:
实施第一宽度设计或者第二宽度设计,所述第一宽度设计以目标光致发光波长与在所述测定工序中测定的光致发光波长的测定值之差越向长波长侧变大,所述激光二极管部的振荡波长就越向长波长侧偏移的方式设计所述带构造部的宽度,所述第二宽度设计以目标光致发光波长与在所述测定工序中测定的光致发光波长的测定值之差越向短波长侧变大,所述激光二极管部的振荡波长就越向短波长侧偏移的方式设计所述带构造部的宽度。
3.根据权利要求1或2所述的光调制器的制造方法,其特征在于:
所述带构造部在所述激光二极管部和所述电场吸收型调制部中具有不同的宽度。
4.根据权利要求1或2所述的光调制器的制造方法,其特征在于:
所述设置LD生长层的工序包含:
在所述半导体衬底上设置活性层的工序、和
在为所述活性层上且形成所述带构造部的位置设置由多个光栅片构成的衍射光栅构造的工序,
在所述带形成工序之前,还具备测定作为所述衍射光栅构造中的所述多个光栅片的间隔的衍射光栅间隔的工序,
基于所述衍射光栅间隔与所述光致发光波长的测定值,以所述激光二极管部的振荡波长与所述光致发光波长之差接近设计值的方式设计所述带构造部的宽度。
5.一种光调制器,其特征在于,具备:
半导体衬底;
激光二极管部,设于所述半导体衬底;
电场吸收型调制部,设于所述半导体衬底中的所述激光二极管部的激光出射侧位置,通过电场的施加而控制所述激光的出射状态;以及
带构造部,共同地设于所述激光二极管部以及所述电场吸收型调制部,
所述带构造部具有:第一部分,位于所述激光二极管部且具有第一宽度;以及第二部分,位于所述电场吸收型调制部且具有与所述第一宽度不同的第二宽度。
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